- 专利标题: 一种等离子体处理方法、射频发生器以及装置
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申请号: CN202010959556.9申请日: 2020-09-14
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公开(公告)号: CN114188204B公开(公告)日: 2023-10-31
- 发明人: 张一川 , 叶如彬
- 申请人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海元好知识产权代理有限公司
- 代理商 徐雯琼; 张静洁
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32
摘要:
本发明公开了一种等离子体处理方法,包括:通过用户端设置针对处理工艺中的多个步骤的外部调频算法以及需调用的内部调频算法;在射频发生器的存储器中存储多组内部调频算法;以及在工艺处理中,运行所述外部调频算法并且同时在至少两个所述步骤中调用不同的所述内部调频算法,以使得射频发生器的频率匹配在不同步骤中的反应腔的阻抗。本发明还公开了一种用于等离子体处理装置的射频发生器以及等离子处理装置。
公开/授权文献
- CN114188204A 一种等离子体处理方法、射频发生器以及装置 公开/授权日:2022-03-15