本发明属于半导体相关技术领域，其公开了一种剔除坏点及自对准喷印的μLED全彩显示制造方法与设备，该方法包括以下步骤：(1)将微型发光二极管(即μLED)阵列巨量转移到目标基板上且坏点未被转移；(2)电流体喷印头与单个微型发光二极管之间形成电场，并向对应的微型发光二极管喷印对应颜色的量子点溶液，进而实现微型发光二极管的全彩显示。本发明通过接通驱动电路使得UV‑μLED充当释放胶层的作用源从而实现转移，而未接通的坏点由于未产生紫外而将存留在胶层上，实现剔除坏点功能；同时，电流体喷印设备的喷头与单个芯片电极之间形成电场以实现自对准，解决了现有技术中巨量转移工艺复杂及全彩化像素分辨率限制、像素对准困难的问题。