本发明公开了一种集成侧向探测器的超辐射发光二极管芯片及制备方法，包括衬底以及形成在所述衬底上的外延片，所述外延片的上表面形成有向下贯通所述外延片的隔离槽，所述外延片的上表面对应所述隔离槽的一侧形成有一与所述隔离槽并列设置的脊波导，且在该侧沿脊波导的长度方向依次形成有一有源区和无源吸收区，所述外延片对应所述隔离槽的另一侧且与所述有源区相对的位置处形成有一侧向探测区，能有效改善超辐射发光二极管的纹波系数，并且降低引入无源吸收区对侧向探测器光探测能力的影响。