一种阵列读出帧转移CCD图像传感器

    公开(公告)号:CN115567791B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202210919479.3

    申请日:2022-08-02

    IPC分类号: H04N25/71

    摘要: 本发明涉及图像传感器领域,特别涉及一种阵列读出帧转移CCD图像传感器,包括光敏区、存储区、水平区以及输出放大器,存储区的一端与光敏区连接,另一端与水平区连接,水平区与输出放大器连接,光敏区包括一次多晶硅、二次多晶硅和一次金属,一次多晶硅、二次多晶硅通过一次接触孔与一次金属连接,一次多晶硅和二次多晶硅在轴向交错设置,一次金属径向设置;存储区包括一次金属和二次金属,一次金属和二次金属通过二次接触孔连接,二次金属轴向设置;所述一次金属内部设置有沟阻;本发明提升光敏区、存储区快态频率,避免常规金属布线设计对于器件响应均匀性的影响,提升水平区信号快速转移。

    适用于密闭腔体内可动微电子器件的传导式散热结构

    公开(公告)号:CN118471924A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410679049.8

    申请日:2024-05-29

    IPC分类号: H01L23/367

    摘要: 本发明涉及一种适用于密闭腔体内可动微电子器件的传导式散热结构,属于微电子器件散热技术领域,包括导热链,导热链包括端接头和标准节,标准节包括N个顺次排布的万向节,万向节包括顺次相接的球缺结构、连接段和球冠结构,连接段为半径小于球冠结构开口半径的实心圆柱,相邻万向节之间的球缺结构嵌入球冠结构,且嵌入后在外力作用下二者之间能够相对转动一定角度并能够在外力撤去后保持该状态。本发明能够支持微电子器件的三轴转动,通过相对简易小巧的结构实现了对与外部无气体交换的密闭腔体内微电子器件的高效散热,且对重量、空间要求较低。

    一种相变制冷热沉结构及其制作方法和DFB激光器

    公开(公告)号:CN118299918A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202410252472.X

    申请日:2024-03-06

    IPC分类号: H01S5/024 H01S5/12

    摘要: 本发明公开了一种相变制冷热沉结构及其制作方法和DFB激光器,包括设置在芯片阵列与TEC之间的热沉本体、相变腔以及容置于所述相变腔内的相变介质,所述相变腔具有第一端和第二端,所述相变腔内形成有沿第一端至第二端方向设置的第一传导路径以及沿第二端至第一端方向设置的第二传导路径,所述相变介质具有能够相互转化的第一状态和第二状态,所述芯片阵列产生的热量经对应侧的热沉本体传递至所述相变腔的第一端使第一状态下的相变介质吸热转化成第二状态并经第一传导路径传递至所述相变腔的第二端,第二状态下的相变介质通过热沉本体的对应侧与TEC接触放热转化成第一状态并经第二传导路径传递至所述相变腔的第一端,实现芯片阵列与TEC之间的热量传导。

    基于3D式集成TDI-CMOS图像传感器的多谱段时序控制方法

    公开(公告)号:CN115767301B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202211460848.3

    申请日:2022-11-16

    摘要: 本发明涉及基于3D式集成TDI‑CMOS图像传感器的多谱段时序控制方法,属于图像处理技术领域。首先,从图像传感器片外提供帧同步脉冲触发信号输入,基于该帧同步脉冲触发信号,利用时序控制装置分别产生用于3D集成式TDI‑CMOS图像传感器的P谱段阵列和B谱段阵列的时序触发脉冲;其次,基于所述P谱段阵列和B谱段阵列的时序触发脉冲,再分别产生应用于P谱段和B谱段的“CCD+CMOS”时序序列;最后,根据P谱段和B谱段时序序列的帧处理时间长度,以耗时最长谱段的帧处理时间决定3D集成式TDI‑CMOS图像传感器的最小帧周期,进而实现在该控制时序条件下传感器内部P谱段阵列和B谱段阵列的完整数据同步输出。

    串口的管理方法与系统
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118042021A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410197399.0

    申请日:2024-02-22

    发明人: 杨渊

    摘要: 本发明涉及一种串口的管理方法与系统,属于通信技术领域。该方法包括以下步骤:用户在串口发送端选择协议参数执行用户需求命令,并发送至串口接收端;串口接收端根据协议参数接收用户命令;串口命令解析端根据预设通信命令参数,对命令进行判别、对权限进行确认和对命令分类派发;命令执行端根据指令执行FPGA系统功能。本发明仅能够采用一个串口实现多人多权限操作,FPGA实现对串口的多路复用;还能够实现内部各个产品统一标准化串口通信,对内采用统一的通信协议和命令参数,对外采用各自的协议和标准,通过通信协议和命令内容,实现用户类之间的隔离。

    一种像元边缘低电场强度的硅光电倍增管及其制造方法

    公开(公告)号:CN114122186B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202111433372.X

    申请日:2021-11-29

    摘要: 本发明属于半导体光电探测器芯片领域,具体涉及一种像元边缘低电场强度的硅光电倍增管及其制造方法;一种像元边缘低电场强度的硅光电倍增管包括至少2个雪崩二极管像元,所有的雪崩二极管像元并联,在相邻的两个雪崩二极管像元之间设置有隔离槽,在隔离槽的两边均设置有n‑保护环;本发明通过在雪崩区与隔离槽之间设置n‑保护环,使得雪崩区远离隔离槽,降低了位于雪崩区边缘的隔离槽表面的电场强度,避免了雪崩区边缘的高电场激发隔离槽表面的刻蚀损伤、悬挂键等缺陷,降低了器件暗计数,具有良好的经济效益。