发明公开
- 专利标题: 半导体处理腔室和用于清洁所述半导体处理腔室的方法
-
申请号: CN202080056247.9申请日: 2020-07-22
-
公开(公告)号: CN114207771A公开(公告)日: 2022-03-18
- 发明人: V·K·潘迪 , V·普拉巴卡尔 , B·阿夫扎尔 , B·拉马穆尔蒂 , J·C·罗查
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 侯颖媖; 张鑫
- 优先权: 62/879,714 20190729 US
- 国际申请: PCT/US2020/043082 2020.07.22
- 国际公布: WO2021/021518 EN 2021.02.04
- 进入国家日期: 2022-02-08
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32 ; B08B7/00 ; C23C16/44
摘要:
一种处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件,所述金属环构件位于气体分布构件下方,所述隔离组件与金属环构件耦接并将金属环构件与气体分布构件隔离。隔离组件可以包括与金属环构件耦接的外隔离构件。外隔离构件可以至少部分地限定腔室壁。隔离组件可以进一步包括与外隔离构件耦接的内隔离构件。内隔离构件可以围绕处理腔室的中心轴线相对于金属环构件设置在径向内部。内隔离构件可以限定多个开口,所述多个开口被配置为提供进入金属环构件与内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。
公开/授权文献
- CN114207771B 半导体处理腔室和用于清洁所述半导体处理腔室的方法 公开/授权日:2023-12-29