本申请提供一种存储器及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔离结构；所述第一方向平行于所述衬底表面；所述第一隔离结构的第一厚度小于所述衬底的厚度；在所述衬底中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；所述第二方向平行于所述衬底表面且与所述第一方向垂直；所述第一沟槽与所述第一隔离结构将所述衬底划分为多个沟道柱；在所述第一沟槽内形成字线结构和第二隔离结构；其中，所述字线结构和所述第二隔离结构并列排布，且沿所述第一沟槽的侧壁延伸；在所述字线结构相邻的所述沟道柱的表面形成存储结构。