- 专利标题: 具有整流电路的半导体电路和半导体电路的制备方法
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申请号: CN202111574546.4申请日: 2021-12-21
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公开(公告)号: CN114220806B公开(公告)日: 2024-09-24
- 发明人: 冯宇翔 , 左安超 , 张土明 , 谢荣才
- 申请人: 广东汇芯半导体有限公司
- 申请人地址: 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
- 专利权人: 广东汇芯半导体有限公司
- 当前专利权人: 广东汇芯半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
- 代理机构: 深圳市辰为知识产权代理事务所
- 代理商 陈建昌
- 主分类号: H01L25/18
- IPC分类号: H01L25/18 ; H01L21/50 ; H02M7/00
摘要:
本发明涉及一种具有整流电路的半导体电路和半导体电路的制备方法,包括第一电路基板和第二电路基板、第一电路布线层和第二电路布线层、多个电子元件、多个引脚和密封层。其中第一电路基板和第二电路基板左右间隔设置,二者之间相隔一定间距,多个电子元件分别设置在第一电路布线层和第二电路布线层,其中第一电路布线层和设置其上的电子元件形成整流电路区,第二电路布线层和设置其上的电子元件形成驱动和逆变电路区,通过将这两个电路区设置在相互间隔设置的两个电路基板上,使得二者之间保持一段的电气隔离的间隙,使得整流电路区产生的电磁干扰无法基于电路布线层传导至容易受干扰的驱动和逆变电路区,有效的提升整个半导体电路的工作可靠性。
公开/授权文献
- CN114220806A 具有整流电路的半导体电路和半导体电路的制备方法 公开/授权日:2022-03-22
IPC分类: