半导体电路及其应用装置

    公开(公告)号:CN114123736B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202111281057.X

    申请日:2021-10-29

    IPC分类号: H02M1/088 H02M7/5387 H02M7/00

    摘要: 本发明公开一种半导体电路及其应用装置,其中,半导体电路包括散热基板和包覆散热基板的塑封外壳,散热基板上焊接有若干分布在散热基板的相对两侧的信号管脚,散热基板上设有高压功率集成电路和H桥逆变电路,高压功率集成电路具有两路高压驱动信号输出端和两路低压驱动信号输出端,两路高压驱动信号输出端对应电连接H桥逆变电路的两个上桥臂的功率管,两路低压驱动信号输出端分别电连接H桥逆变电路的两个下桥臂的功率管。本发明技术方案,降低单相直流电转机的主控板的设计难度和成本,提升了抗干扰能力,使单相直流电转机工作更稳定可靠;并且仅采用两个半桥,成本更低,两个半桥在使用时充分利用,不存在未使用的半桥,避免了资源浪费。

    一种半导体电路及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116864497A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310817042.3

    申请日:2023-07-04

    摘要: 一种半导体电路及其制造方法。半导体电路包括透明陶瓷基板;铜箔层,铜箔层通过处理形成电路布线层,铜箔层压合于所述透明陶瓷基板的一侧;多个电路元器件,电路元器件配置在电路布线层的特定位置处,其中,电路元器件包括温度显示模块,温度显示模块贴装在所述透明陶瓷基板上,温度显示模块包括温度检测电路、温度显示控制电路以及温度保护电路;金属引脚,金属引脚用于与电路布线层连接并向外延伸作为输入输出;金属线;封装体,封装体包覆于透明陶瓷基板,至少将金属引脚与电路布线层的连接部分密封,并且向外延伸的金属引脚至少有一部分未被密封而露出。相对于现有技术,本发明失效分析效率更高、生产效率更高以及生产成本更低。

    半导体电路
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114123833B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202111277575.4

    申请日:2021-10-29

    摘要: 本发明公开一种半导体电路,包括电路板和高压集成电路,高压集成电路包括电源欠压保护电路、逆变桥驱动电路和报错电路,电源欠压保护电路包括欠压检测单元和故障逻辑控制单元,故障逻辑控制单元的信号输入端与欠压检测单元电连,故障逻辑控制单元的信号输出端分别与逆变桥驱动电路和报错电路电连;欠压检测单元包括延时电路、充电电路和欠压检测电路,延时电路的输出端与充电电路的输入端电连,充电电路的输出端和与欠压检测电路的输入端电连,欠压检测电路的输入端还与电源电连,欠压检测电路的输出端与故障逻辑控制单元电连。本发明所提出的半导体电路,可实现高压集成电路刚工作时,欠压保护无效,工作一段时间后,欠压保护功能生效。

    一种智能功率模块
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115085514A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210878701.X

    申请日:2022-07-25

    摘要: 本发明提供了一种智能功率模块,包括:金属衬底层、绝缘层、电路层、设置在电路层上的HIVC驱动逻辑电路、缓存电路、上桥臂驱动电路、下桥臂驱动电路、开关管组件、工作保护电路、驱动使能电路、故障检测与输出电路、以及保护层,HIVC驱动逻辑电路分别与上桥臂驱动电路和下桥臂驱动电路电连接,上桥臂驱动电路、下桥臂驱动电路分别与开关管组件电连接;开关管组件包括并联的第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管以及第六三极管,上桥臂驱动电路分别与第一三极管、第二三极管及第三三极管连接,下桥臂驱动电路分别与第四三极管、第五三极管及第六三极管连接。本发明体积小、工艺简单、生产效率高。

    一种半导体功率器件的制备方法及其制备的封装模块

    公开(公告)号:CN114783887A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210355566.0

    申请日:2022-04-06

    摘要: 本发明公开了一种半导体功率器件的制备方法及其制备的封装模块,包括下述步骤:准备铝基覆铜板:选择适当尺寸的铝基覆铜板;锡膏印刷:在铝基覆铜板的预设位置,印刷锡膏;元件粘贴:将元件贴装在铝基覆铜板的印刷锡膏的位置;回流焊固定:将铝基覆铜板进行回流焊,固定元件;绑定线焊接:焊接绑定线;点胶保护:通过点胶设备在绑定线以及元件的外围点胶形成保护环,保护环用于防止注塑时注塑料对绑定线产生冲击;烘干固化;注塑封装;本申请旨在提供一种半导体功率器件的制备方法及其制备的封装模块,通过设置保护环,降低注塑时注塑料对绑定线的冲击力,把冲线问题降至最低,减小产品不良率合,提升产品的可靠性。

    基于PFC模块的变频控制器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114501797A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210104330.X

    申请日:2022-01-28

    IPC分类号: H05K1/18 H02M1/42

    摘要: 本发明涉及一种基于PFC模块的变频控制器,包括PCB板,PCB板包括相对的第一侧边和第二侧边,PCB板靠近第一侧边依次设置有PFC模块、第一半导体电路和第二半导体电路,其中PFC模块的强电管脚设置在远离第一侧边的另一侧,且PFC模块、第一半导体电路和第二半导体电路的管脚排布的方向都为第一侧边所在的延伸方向。通过设置PFC模块,相对由分立的功率器件组成的PFC电路,基于PFC模块形成的PFC电路能有效的减少PCB走线,而且有效的减少这些功率器件共同占用的发热面积,且这三个发热元件在PCB板的宽度方向的占用的尺寸尽量的小,从而使得散热器的宽度尽量的小,并靠近第一侧边设置,因而有效的减少散热器占用整个PCB的面积,有利于变频控制器的低成本和小型化。

    高压集成电路
    8.
    发明公开
    高压集成电路 审中-实审

    公开(公告)号:CN114142430A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111431408.0

    申请日:2021-11-29

    IPC分类号: H02H3/24 H02H3/02

    摘要: 本发明涉及一种高压集成电路,包括欠压保护电路和故障逻辑控制电路;欠压保护电路包括比较器、基准电源、第一电阻、第一接口、第二接口和第一可变电阻;其中,比较器的输出端连接于故障逻辑控制电路的输入端,故障逻辑控制电路的输出端用于连接至外接处理器;基准电源的正极端连接比较器的第一输入端口,基准电源的负极端接地,比较器的第二输入端口通过第一电阻连接至欠压监测点;比较器的第二输入端口还连接于第一接口,第二接口接地;第一可变电阻的第一端连接第一接口,第一可变电阻的第二端连接第二接口。该高压集成电路可以实现欠压保护阈值的灵活可调,在较低成本的情况下适应电路中复杂的欠压保护需求,提高电路运行的稳定性和可靠性。

    半导体电路
    9.
    发明公开
    半导体电路 审中-实审

    公开(公告)号:CN114123750A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111244538.3

    申请日:2021-10-25

    摘要: 本发明公开一种半导体电路,包括电路板和高压集成电路,高压集成电路包括上桥驱动电路、上桥驱动输入端、上桥驱动输出端、下桥驱动电路、下桥驱动输入端和下桥驱动输出端,上桥驱动电路分别与上桥驱动输入端和上桥驱动输出端电连接,下桥驱动电路分别与下桥驱动输入端和下桥驱动输出端电连接,上桥驱动电路与下桥驱动电路之间电连接有互锁电路;当上桥驱动电路输入端和下桥驱动电路输入端同为高电平时,互锁电路能够将至少一个高电平转换为低电平。本发明所提出的高压集成电路,其通过互锁电路可保证输入均为高电平时,至少一个输出被置为低电平,避免均输出高电平的现象,提高产品应用可靠性和抗干扰能力。

    半导体电路和半导体电路的制造方法

    公开(公告)号:CN114038811A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111245157.7

    申请日:2021-10-26

    IPC分类号: H01L23/31 H01L21/56

    摘要: 本发明涉及一种半导体电路以及半导体电路的制造方法,包括电路基板、绝缘层、多个电子元件、多个引脚和密封层。电路基板包括安装面和散热面,绝缘层设置于安装面,电路布线层设置在绝缘层的表面,电路布线层设置有多个元件安装位和焊盘,多个电子元件配置于电路布线层的元件安装位上,多个引脚设置在电路基板的至少一侧,密封层至少包裹设置电子元件的电路基板的一面,多个引脚的另一端从密封层露出,密封层的两端设置有贯穿其厚度的安装孔,围绕安装孔有凹槽,安装孔周边的密封层形成凸起部。从而使得密封层在开设凹槽的位置的厚度相对其他位置的厚度小,其用料明显减少,从而实现了节省密封层的材料的目的。