- 专利标题: 一种巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷及其制备方法
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申请号: CN202111585249.X申请日: 2021-12-22
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公开(公告)号: CN114230335B公开(公告)日: 2022-12-13
- 发明人: 李甜 , 郑兴华 , 刘杰 , 戴书云 , 张欢 , 朱培树
- 申请人: 福建贝思科电子材料股份有限公司
- 申请人地址: 福建省龙岩市长汀县策武镇汀州大道南路31号
- 专利权人: 福建贝思科电子材料股份有限公司
- 当前专利权人: 福建贝思科电子材料股份有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省龙岩市长汀县策武镇汀州大道南路31号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 耿苑
- 主分类号: H01B3/12
- IPC分类号: H01B3/12 ; C04B35/468 ; C04B35/622
摘要:
本发明提供了一种巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷,由包括以下摩尔份数组分的原料和MAS制备而成:BaTiO3 100份;Ln2O3 0.2份~2份;MnO2 0.2份~2份;MgO 0.05份~2份;所述Ln2O3为Y2O3、H2O3、Dy2O3和Sm2O3中的一种或多种;所述MAS的含量为BaTiO3的0.5wt%~3wt%。与现有技术相比,本发明提供的巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷采用特定含量组分,实现整体较好的相互作用,得到的产品克服了大多数介电陶瓷材料存在的介电常数较低、晶粒过大、电阻率低等问题,具有应用于MLCC领域的巨大潜力;本发明制备的陶瓷表现出了优异的性能:相对介电常数>104,介电损耗0.01~0.05,电阻率>109Ω·cm,晶粒细小(粒径
公开/授权文献
- CN114230335A 一种巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2022-03-25