一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法
摘要:
本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法;通过两对超声发生器在反应釜内形成了驻波场,使得带电金属粒子在驻波场中停滞在各个驻波节点上;通过在两个石墨电极中通入交变电流,使反应釜中产生交变电场,使得带电金属粒子沿交变电场力的方向带动腐蚀液中的酸与硅片发生刻蚀反应;通过改变超声波的频率和幅值改变驻波场中驻波节点的位置,从而改变带电金属粒子催化刻蚀反应的位置;通过改变交变电流的频率与幅值,改变硅片表面微结构的腐蚀深度;通过改变交变电场力的方向,改变硅片表面微结构的倾斜度。本发明通过调节超声波和交变电流的频率和幅值,能实现按预设图案对硅片表面进行刻蚀;提高了硅片的刻蚀效率和精确度。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的(在半导体材料上制作电极的入H01L21/28)
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理,例如电解腐蚀(形成绝缘层的入H01L21/31;绝缘层的后处理入H01L21/3105)
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