发明公开
- 专利标题: 一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法
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申请号: CN202111668040.X申请日: 2021-12-31
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公开(公告)号: CN114300353A公开(公告)日: 2022-04-08
- 发明人: 巢炎 , 黄伟业 , 李彬
- 申请人: 杭州电子科技大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- 专利权人: 杭州电子科技大学
- 当前专利权人: 杭州电子科技大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- 代理机构: 浙江千克知识产权代理有限公司
- 代理商 周雷雷
- 主分类号: H01L21/306
- IPC分类号: H01L21/306 ; B81C1/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法;通过两对超声发生器在反应釜内形成了驻波场,使得带电金属粒子在驻波场中停滞在各个驻波节点上;通过在两个石墨电极中通入交变电流,使反应釜中产生交变电场,使得带电金属粒子沿交变电场力的方向带动腐蚀液中的酸与硅片发生刻蚀反应;通过改变超声波的频率和幅值改变驻波场中驻波节点的位置,从而改变带电金属粒子催化刻蚀反应的位置;通过改变交变电流的频率与幅值,改变硅片表面微结构的腐蚀深度;通过改变交变电场力的方向,改变硅片表面微结构的倾斜度。本发明通过调节超声波和交变电流的频率和幅值,能实现按预设图案对硅片表面进行刻蚀;提高了硅片的刻蚀效率和精确度。
IPC分类: