-
公开(公告)号：CN114346636A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210103120.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多用途O型密封圈自动装配设备及方法。密封圈的安装通常由人工完成，安装精度低，效率低。本发明的升降机构驱动旋转机构、机械臂和抓取机构升降，旋转机构驱动机械臂和抓取机构旋转；抓取机构包括壳体、旋转电机、驱动块、卡爪组件和顶推组件；旋转电机经驱动块带动卡爪组件水平移动；卡爪组件的卡爪可相对卡板上下移动；顶推组件包括套筒、滑板和圆弧推板；套筒与壳体固定；圆弧推板与套筒通过滑板连接；滑板穿过卡爪；圆弧推板的底面高于卡爪底面；卡爪组件和顶推组件的数量且均为3、4或5个。本发明适用于不同内径O型密封圈的装配，以及零件不同水平、高度位置的待装配环形槽上安装密封圈。
-
公开(公告)号：CN114300353A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111668040.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/306 , B81C1/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法；通过两对超声发生器在反应釜内形成了驻波场，使得带电金属粒子在驻波场中停滞在各个驻波节点上；通过在两个石墨电极中通入交变电流，使反应釜中产生交变电场，使得带电金属粒子沿交变电场力的方向带动腐蚀液中的酸与硅片发生刻蚀反应；通过改变超声波的频率和幅值改变驻波场中驻波节点的位置，从而改变带电金属粒子催化刻蚀反应的位置；通过改变交变电流的频率与幅值，改变硅片表面微结构的腐蚀深度；通过改变交变电场力的方向，改变硅片表面微结构的倾斜度。本发明通过调节超声波和交变电流的频率和幅值，能实现按预设图案对硅片表面进行刻蚀；提高了硅片的刻蚀效率和精确度。
-
公开(公告)号：CN111932600A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010757742.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06T7/55
Abstract: 本发明提供一种基于局部子图的实时回环检测方法，首先创建基于各子图的特征数据库；然后在检测回环之前，对当前帧的相邻子图进行筛选；最后通过相邻子图的特征数据库中的关键帧信息进行回环检测与关键帧添加。本发明设计了通用的回环检测框架，对现有的回环检测技术结合局部子图的数据结构，实现检测时间不随地图(关键帧数量)的增大而增大，有效保证了现有三维重建技术在重建大场景时的实时性。
-
公开(公告)号：CN110866952A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910988088.5
申请日：2019-10-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06T7/73
Abstract: 本发明公开了一种基于深度图编码的重定位与回环检测方法。本发明利用RGB-D相机拍摄出来的深度图,结合所估计的相机位姿来辅助判断回环检测和重定位，即用随机蕨编码的方法对深度图进行编码，比较当前帧深度图与历史关键帧深度图的编码相似性，同时利用两帧图像所估计的相机位姿比较拍摄两帧图像时相机的空间位置相似性，通过当前帧与历史帧的编码相似性与空间位置相似性从而判断相机是否回到了之前到过的区域。本发明在原有的建立在彩色图像的方法上结合新型传感器所带来的深度信息，提供更加稳定的重定位和回环检测效果。并且对图像进行了编码，避免了考虑整幅深度图的信息，大大减小了计算量。同时还考虑了相机位姿，避免了判定结果假阳性的问题。
-
公开(公告)号：CN116180199A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310277481.X
申请日：2023-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超声驻波制备阴极涂层的设备及方法。本发明中阴极槽和阳极槽通过管道连通，阴极槽和阳极槽内均设有竖直设置的搅拌棒；阴极槽和阳极槽上均设有导电装置；阴极槽内壁上固定有四个超声波振动装置，且四个超声波振动装置均分为两组，每正对的两个超声波振动装置为一组；阴极槽的其中两个内壁上均固定有上下间距设置的两个浓度传感器。本发明中通过阴极槽内的搅拌棒搅动阴极槽内的电解液，达到使阴极槽内电解液中金属阳离子分布均匀的目的，并通过两个声场叠加后形成的能量分布均匀的波阵面，使金属阳离子均匀吸附于阴极板表面并发生还原反应，在阴极板表面形成表面平整的阴极涂层，提高了阴极涂层的质量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114346636B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210103120.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多用途O型密封圈自动装配设备及方法。密封圈的安装通常由人工完成，安装精度低，效率低。本发明的升降机构驱动旋转机构、机械臂和抓取机构升降，旋转机构驱动机械臂和抓取机构旋转；抓取机构包括壳体、旋转电机、驱动块、卡爪组件和顶推组件；旋转电机经驱动块带动卡爪组件水平移动；卡爪组件的卡爪可相对卡板上下移动；顶推组件包括套筒、滑板和圆弧推板；套筒与壳体固定；圆弧推板与套筒通过滑板连接；滑板穿过卡爪；圆弧推板的底面高于卡爪底面；卡爪组件和顶推组件的数量且均为3、4或5个。本发明适用于不同内径O型密封圈的装配，以及零件不同水平、高度位置的待装配环形槽上安装密封圈。
-
公开(公告)号：CN114348957A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111661815.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，电机驱动两石墨电极旋转；三个超声发生器分别装配在反应釜内部的底面和两侧壁面上；一个超声发生器装配在釜端盖的下表面上。本发明通过两对超声发生器在硅片表面形成驻波场，使带电金属粒子停滞在驻波场的驻波节点上；石墨电极通电使带电金属粒子沿交变电场力方向运动，团聚在带电金属粒子周围的腐蚀液中的酸在带电金属粒子带动下与硅片表面反应；通过改变超声波频率和幅值改变驻波场中驻波节点位置，改变在硅片上的刻蚀位置；电机调整两石墨电极位置，使交变电场力方向改变；改变交变电流的频率和幅值，调整微结构刻蚀深度。本发明能按预设图案对硅片进行刻蚀。
-
公开(公告)号：CN113134717A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110249185.X
申请日：2021-03-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多用途O型密封圈自动装配设备及方法。密封圈的安装通常由人工完成，安装精度低，效率低。本发明的升降机构驱动旋转机构、机械臂和抓取机构升降，旋转机构驱动机械臂和抓取机构旋转；抓取机构包括壳体、旋转电机、驱动块、卡爪组件和顶推组件；旋转电机经驱动块带动卡爪组件水平移动；卡爪组件的卡爪可相对卡板上下移动；顶推组件包括套筒、滑板和圆弧推板；套筒与壳体固定；圆弧推板与套筒通过滑板连接；滑板穿过卡爪；圆弧推板的底面高于卡爪底面；卡爪组件和顶推组件的数量且均为3、4或5个。本发明适用于不同内径O型密封圈的装配，以及零件不同水平、高度位置的待装配环形槽上安装密封圈。
-
公开(公告)号：CN111932600B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202010757742.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06T7/55
Abstract: 本发明提供一种基于局部子图的实时回环检测方法，首先创建基于各子图的特征数据库；然后在检测回环之前，对当前帧的相邻子图进行筛选；最后通过相邻子图的特征数据库中的关键帧信息进行回环检测与关键帧添加。本发明设计了通用的回环检测框架，对现有的回环检测技术结合局部子图的数据结构，实现检测时间不随地图(关键帧数量)的增大而增大，有效保证了现有三维重建技术在重建大场景时的实时性。
-
公开(公告)号：CN114348957B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111661815.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，电机驱动两石墨电极旋转；三个超声发生器分别装配在反应釜内部的底面和两侧壁面上；一个超声发生器装配在釜端盖的下表面上。本发明通过两对超声发生器在硅片表面形成驻波场，使带电金属粒子停滞在驻波场的驻波节点上；石墨电极通电使带电金属粒子沿交变电场力方向运动，团聚在带电金属粒子周围的腐蚀液中的酸在带电金属粒子带动下与硅片表面反应；通过改变超声波频率和幅值改变驻波场中驻波节点位置，改变在硅片上的刻蚀位置；电机调整两石墨电极位置，使交变电场力方向改变；改变交变电流的频率和幅值，调整微结构刻蚀深度。本发明能按预设图案对硅片进行刻蚀。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.037 seconds)
