Invention Publication
CN114334879A 集成电路装置
审中-实审
- Patent Title: 集成电路装置
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Application No.: CN202111180685.9Application Date: 2021-10-11
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Publication No.: CN114334879APublication Date: 2022-04-12
- Inventor: 朴正敏 , 林汉镇 , 金海龙 , 朴瑛琳 , 赵哲珍
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京天昊联合知识产权代理有限公司
- Agent 赵南; 肖学蕊
- Priority: 10-2020-0131293 20201012 KR
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01L21/768
Abstract:
一种集成电路装置包括：第一电极层，其包括第一金属并且具有第一热膨胀系数；位于第一电极层上的介电层，该介电层包括包含与第一金属不同的第二金属的第二金属氧化物，并且具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数；以及位于第一电极层和介电层之间的第一应力缓冲层，该第一应力缓冲层包括包含第一金属的第一金属氧化物，并且由于第一电极层的热应力和介电层的热应力而形成。
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IPC分类:
