公开(公告)号：CN114729448A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202180006854.9

申请日：2021-07-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金洙焕 ,  金铉埈 ,  朴瑛琳 ,  白东官 ,  丁炯硕

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

摘要： 根据本发明的实施例的沉积系统包括：反应室；气体供应单元，其用于将气态前体供应到反应室；反应物供应单元，其用于将与前体反应的反应物供应到反应室；以及排放单元，其用于从反应室排出排放物，其中：气体供应单元包括顺序地连接的副箱、液体流量控制器和蒸发器；前体借助于自动填充系统以液态填充到气体供应单元的副箱中，并且经由副箱、液体流量控制器和蒸发器被供应到反应室；并且排放单元包括应用等离子体预处理系统的处理工艺室、泵和洗涤器，从而稳定地供应前体而不更换罐，提高泵的寿命，并且提高洗涤器的效率。因此，通过使用根据本发明的实施例的沉积系统，从大规模生产的视角来看，可以提高设备的维护和管理的容易性。

公开(公告)号：CN101794735A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200910259030.3

申请日：2009-12-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴瑛琳 ,  安亨根 ,  吴圭焕 ,  安东浩 ,  李琎一

IPC分类号： H01L21/8229 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/768 ,  H01L27/24 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L27/24

摘要： 本发明提供了形成接触结构的方法以及使用该接触结构制造的半导体器件。接触结构的形成可以包括在衬底上形成第一成型图案，形成绝缘层以至少覆盖第一成型图案的侧壁，形成第二成型图案以覆盖绝缘层的侧壁并且与第一成型图案隔开，移除第一和第二成型图案之间的绝缘层的部分以形成孔，以及在第一和第二成型图案之间形成绝缘图案，以及在孔中形成接触图案。

公开(公告)号：CN117440683A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310866072.3

申请日：2023-07-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 蔡志旼 ,  朴瑛琳 ,  申东珉 ,  林佑燮

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体器件包括：下部结构；多个下部电极，所述多个下部电极在所述下部结构上；上部电极，所述上部电极在所述多个下部电极上；电介质层，所述电介质层在所述多个下部电极与所述上部电极之间，并且包括铁电层或反铁电层；以及多个界面层，所述多个界面层在所述多个下部电极与所述电介质层之间，其中，所述多个界面层包括：第一层，所述第一层接触所述多个下部电极，并且包括第一金属元素、不同于所述第一金属元素的第二金属元素和元素氮；以及第二层，所述第二层在所述第一层与所述电介质层之间，并且包括所述第一金属元素、所述第二金属元素和元素氧，其中，所述第一层中的所述第二金属元素的浓度低于所述第二层中的所述第二金属元素的浓度。

公开(公告)号：CN114334879A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111180685.9

申请日：2021-10-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  金海龙 ,  朴瑛琳 ,  赵哲珍

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

摘要： 一种集成电路装置包括：第一电极层，其包括第一金属并且具有第一热膨胀系数；位于第一电极层上的介电层，该介电层包括包含与第一金属不同的第二金属的第二金属氧化物，并且具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数；以及位于第一电极层和介电层之间的第一应力缓冲层，该第一应力缓冲层包括包含第一金属的第一金属氧化物，并且由于第一电极层的热应力和介电层的热应力而形成。

公开(公告)号：CN108807345B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201810369447.4

申请日：2018-04-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC分类号： H01L49/02

摘要： 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。

公开(公告)号：CN110828428A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910743284.6

申请日：2019-08-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 文孝植 ,  姜相列 ,  金恩善 ,  朴瑛琳 ,  郑圭镐 ,  曹圭镐

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02

摘要： 一种半导体器件包括：衬底上的下电极；电介质层结构，在下电极上并且包括具有四方晶相的铪氧化物；模板层，在电介质层结构上并且包括铌氧化物(NbOx，0.5≤x≤2.5)；以及上电极结构，包括在模板层上的第一上电极和第二上电极。

公开(公告)号：CN102569336A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110455205.5

申请日：2011-12-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金荣国 ,  全麟商 ,  金永锡 ,  朴瑛琳 ,  安皓均

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L45/12 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： 本发明提供了非易失性半导体存储器件及其制造方法。该器件包括多条下部互连线、横跨在所述多条下部互连线上方的上部互连线、分别布置在所述多条下部互连线与所述多条上部互连线之间的多个相交区域处的多个选择元件、以及布置在所述选择元件与所述上部互连线之间的存储元件，其中，所述多个选择元件的每一个都形成在半导体图案中，所述半导体图案关于平行于所述下部互连线且垂直于所述上部互连线的平面实质呈镜像不对称。

公开(公告)号：CN1996570A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610172410.X

申请日：2006-12-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李琎一 ,  李忠满 ,  赵性来 ,  郑兰珠 ,  姜相列 ,  朴瑛琳

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/24 ,  H01L23/532 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC分类号： H01L21/32051 ,  H01L21/28562 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： 一种制造相变随机存取存储器件(RAM)的方法，包括在衬底上形成硫化物材料。在硫化物材料之下形成底接触，该底接触包括TiAlN。形成底接触包括执行原子层淀积(ALD)工序，ALD工序包括将NH3源气体引入处理室，在该处理室中执行ALD工序，NH3气体的流量为使得所得的底接触具有小于1at％的氯含量。根据全宽半幅(FWHM)，该底接触包括具有小于0.65度的结晶度的TiAlN。

公开(公告)号：CN110931466B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201910312232.3

申请日：2019-04-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 文瑄敏 ,  金洙焕 ,  金铉埈 ,  朴成律 ,  朴瑛琳 ,  蒋在完

IPC分类号： H01L23/64

摘要： 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。在集成电路器件的电容器中，电介质结构包括通过氧化电极的表面获得的结晶诱导膜以及形成在结晶诱导膜上的电介质膜，以减少电介质膜中产生的缺陷密度，改善泄漏电流，并减小等效氧化物厚度。

公开(公告)号：CN114267788A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111079272.1

申请日：2021-09-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑圭镐 ,  朴瑛琳 ,  安敞茂 ,  宋鸿善 ,  辛瑜曔

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L27/108

摘要： 本公开提供了半导体器件。半导体器件可以包括依次堆叠在半导体基板上的底电极、电介质层和顶电极。底电极包括：与电介质层接触的第一掺杂区；主区，通过第一掺杂区而与电介质层间隔开，该第一掺杂区介于主区和电介质层之间；以及在第一掺杂区和主区之间的第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区中的每个包括氧和掺杂金属。在一些实施方式中，第二掺杂区还可以包括氮。主区可以没有所述掺杂金属。第二掺杂区中的氧的量小于第一掺杂区中的氧的量。