发明公开
- 专利标题: 一种NAND闪存结构及其制作方法
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申请号: CN202111656825.5申请日: 2021-12-30
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公开(公告)号: CN114334990A公开(公告)日: 2022-04-12
- 发明人: 刘涛 , 巨晓华 , 王奇伟
- 申请人: 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区良腾路6号
- 专利权人: 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人: 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区良腾路6号
- 代理机构: 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 周耀君
- 主分类号: H01L27/11524
- IPC分类号: H01L27/11524
摘要:
本发明提供了一种NAND闪存结构,包括:衬底,所述衬底上形成有多个字线、多个源极选择栅极和多个漏极选择栅极,多个所述字线位于多个所述源极选择栅极和多个所述漏极选择栅极之间,每个字线、源极选择栅极和漏极选择栅极的宽度相同。通过形成宽度相同的源极选择栅极、漏极选择栅极和字线,由于字线的宽度和源极选择栅极的宽度以及漏极选择栅极的宽度相同,因此,不会产生负载效应,无需将靠近源极选择栅极、漏极选择栅极的字线设置为冗余字线,因此节省了器件区的面积。