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公开(公告)号：CN111524875B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202010344594.3
申请日：2020-04-27
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种半导体测试结构及其制作方法，包括：交错设置的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区均呈梳状结构，所述梳状结构包括柄部和齿部，所述齿部呈U形且开口面向所述柄部；及分别设置在所述第一有源区和所述第二有源区梳状结构的柄部的第一接触接点和第二接触接点，且所述第一接触接点和所述第二接触接点对应同一第一有源区或第二有源区梳状结构的齿部。本发明提供的半导体测试结构中，所述第一有源区和所述第二有源区呈梳状结构且交错设置，避免高掺杂的接触区对存储单元阵列中有源区之间的隔离测试的干扰。
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公开(公告)号：CN116213378A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310171821.0
申请日：2023-02-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： B08B9/032
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种加热器清扫装置，包括：吹扫架以及若干个吹扫头；所述吹扫头设置于所述吹扫架上；所述吹扫架用于与加热器装配，并使得各所述吹扫头分别与所述加热器上的各所述通孔正对，各所述吹扫头用于同时向各所述通孔内吹气。如此配置，本发明的吹扫架上集成有多个吹扫头，吹扫架与加热器装配后，各所述吹扫头与加热器上的通孔一一匹配，并对各个通孔同步吹气，各个通孔被同步清洁，且清洁后的带有颗粒物的气体不会对通孔造成二次污染；同步吹气清洁过程中，可保证各个通孔内的颗粒物均被吹出，提高清洁效果；在保证较高清洁质量的前提下，还有效提高了清洁效率。
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公开(公告)号：CN114334990A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111656825.5
申请日：2021-12-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/11524
摘要： 本发明提供了一种NAND闪存结构，包括：衬底，所述衬底上形成有多个字线、多个源极选择栅极和多个漏极选择栅极，多个所述字线位于多个所述源极选择栅极和多个所述漏极选择栅极之间，每个字线、源极选择栅极和漏极选择栅极的宽度相同。通过形成宽度相同的源极选择栅极、漏极选择栅极和字线，由于字线的宽度和源极选择栅极的宽度以及漏极选择栅极的宽度相同，因此，不会产生负载效应，无需将靠近源极选择栅极、漏极选择栅极的字线设置为冗余字线，因此节省了器件区的面积。
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公开(公告)号：CN114005788A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111266559.5
申请日：2021-10-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
摘要： 本发明提供了一种NAND闪存器件的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上具有多个栅极，在所述栅极的两侧的衬底上形成有漏区和源区，所述栅极的两侧壁上形成有侧墙；形成介质层，所述介质层覆盖所述衬底、所述多个栅极及所述侧墙；对所述介质层执行第一次刻蚀工艺，在介质层内形成对准所述漏区的接触孔，并形成对准所述源区的接触沟槽，所述接触沟槽贯穿所述介质层并延伸至所述衬底；在所述介质层上形成保护层，所述保护层具有一开口，所述开口暴露出所述接触孔以及所述接触孔周围的部分所述介质层；所述保护层保护源区的接触沟槽不进行第二次刻蚀工艺，防止源区的接触沟槽内衬底的过多流失，从而能够解决晶圆漏电的问题。
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公开(公告)号：CN106206225A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610608998.2
申请日：2016-07-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/317 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/317 , H01J37/20 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种防止顶端喷嘴开裂的方法以及高密度等离子机台。根据本发明的防止顶端喷嘴开裂的方法包括：第一步骤：为高密度等离子机台的用于平衡气流的顶端喷嘴配置钛合金丝套；第二步骤：在高密度等离子机台的腔体内，利用预定工艺气体在等离子体增强条件下在硅片表面进行化学气相沉积以形成薄膜。
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公开(公告)号：CN106158589A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610612979.7
申请日：2016-07-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/762 , H01L21/0206
摘要： 本发明提供了一种改善浅沟槽隔离制程金属污染的方法及集成电路制造方法。根据本发明的改善浅沟槽隔离制程金属污染的方法包括：将硅片布置在浅沟槽隔离工艺机台内，其中采用静电吸盘固定硅片；执行浅沟槽隔离工艺的同时，在静电吸盘的与硅片相对的表面通惰性气体，以带走静电吸盘表面的重金属元素；利用真空泵抽走浅沟槽隔离工艺机台内的空气。
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公开(公告)号：CN115332183A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211054903.9
申请日：2022-08-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8244 , H01L21/335 , H01L21/265 , H01L27/11 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/423
摘要： 本发明提供了一种静态随机存储器的制备方法，提供衬底，衬底上具有栅极结构；对栅极结构两侧的衬底进行第一离子注入工艺，以形成第一源漏区；对栅极结构两侧的衬底进行第二离子注入工艺，以在所述第一源漏区内形成第二源漏区；其中，第一离子注入工艺与第二离子注入工艺的离子注入方向均朝向栅极结构的方向倾斜，且第一离子注入工艺较第二离子注入工艺的倾斜角度更大，第一离子注入工艺的离子注入剂量小于第二离子工艺的离子注入剂量，使第一源漏区第二源漏区的离子浓度在横向及垂向上均形成浓度差，第一源漏区与第二源漏区构成有效的源漏结构，减小源区与漏区之间的沟道漏电，进而减小静态随机存储器的常温静态漏电。
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公开(公告)号：CN114141696A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111436024.8
申请日：2021-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 刘涛
IPC分类号： H01L21/764 , H01L27/11524
摘要： 本发明提供了一种空气间隙的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有所述字线结构，字线结构的侧面和顶部依次形成有氧化层和冗余氮化硅层；去除所述字线结构顶部的的氧化层和冗余氮化硅层，且保留字线结构侧壁的氧化层和冗余氮化硅层；去除部分冗余氮化硅层；去除剩余的冗余氮化硅层，以在相邻的字线结构之间形成空气间隙；以及，在所述字线结构上形成自对准金属硅化物。自对准金属硅化物的高度比传统工艺中的自对准金属硅化物的高度高很多，因此，减小了自对准金属硅化物的电阻，相应的，所述字线结构之间的空气空隙的高度也比传统工艺中的空气间隙高很多，因此，减小了所述字线结构之间的电容，极大提高整个空气间隙的性能。
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公开(公告)号：CN114005832A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111266556.1
申请日：2021-10-28
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 刘涛
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L21/768 , H01L27/11529 , H01L27/11536
摘要： 本发明提供了一种NAND闪存的制作方法，包括：提供衬底，并在所述衬底上形成有至少两个浮栅层，相邻浮栅层之间设置有开口，所述浮栅层上形成有第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述浮栅层的侧壁和顶部；形成控制栅材料层，所述控制栅材料层填充所述开口并覆盖所述第一侧墙；对控制栅材料层进行刻蚀工艺，以形成控制栅层，并且所述浮栅层处形成浮栅层残留物；进行原子层沉积氧化工艺，以形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖控制栅层和开口；进行快速热氧化工艺，以形成第二氧化层，快速热氧化工艺的工艺气体穿透第一氧化层去除浮栅层残留物。解决了控制栅刻蚀过程中，浮栅的残留物导致相邻浮栅短路以及漏电的问题。
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公开(公告)号：CN105742216B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610218858.4
申请日：2016-04-11
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68
摘要： 本发明提供了一种晶圆传送系统，采用发送机步数来控制负载传送部件的运动，当发送机所设定的步数到达时，采用探测器来探测负载传送部件是否到达起始位置或终点位置，从而可以准确判断出负载传送部件是否到位，以便进行后续操作，避免实际负载传送部件还没有到达设定位置，从而会造成晶圆的破裂，负载传送部件的变形，滑动阀门的卡死和工艺腔的污染。并且，当此情况发生时，就需要对整机进行清洗，更换负载传送部件和滑动阀门，这些部件的质量较重，更换比较耗时耗力，从而产生不必要的人力和生产成本浪费。
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