Invention Grant
- Patent Title: 一种高可靠性低缺陷半导体发光器件及其制备方法
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Application No.: CN202210205786.5Application Date: 2022-03-04
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Publication No.: CN114336268BPublication Date: 2022-05-31
- Inventor: 王俊 , 谭少阳 , 张立晨 , 胡燚文 , 赵武 , 李波 , 李泉灵
- Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- Applicant Address: 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203;
- Assignee: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- Current Assignee: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司,苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203;
- Agency: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- Agent 薛异荣
- Main IPC: H01S5/028
- IPC: H01S5/028 ; H01S5/042 ; H01S5/20
Abstract:
一种高可靠性低缺陷半导体发光器件及其制备方法,高可靠性低缺陷半导体发光器件包括:半导体衬底层;位于所述半导体衬底层上的有源层;位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的掺杂半导体接触层,所述掺杂半导体接触层包括第一区和包围所述第一区的边缘区;位于所述掺杂半导体接触层的边缘区背离所述有源层一侧的保护层;正面电极层,位于所述第一区背离所述有源层一侧,所述第一区上的正面电极层的上表面低于所述保护层的上表面。所述半导体发光器件兼顾可靠性高和降低工艺控制成本。
Public/Granted literature
- CN114336268A 一种高可靠性低缺陷半导体发光器件及其制备方法 Public/Granted day:2022-04-12
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