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公开(公告)号：CN118867837A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411328037.7
申请日：2024-09-24
摘要： 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：位于有源层背离半导体衬底层一侧的光子晶体层，光子晶体层包括第一层和第二层，第二层延伸至第一层中并覆盖第一层背离有源层的一侧表面，第二层的折射率高于第一层的折射率；位于光子晶体层背离有源层一侧的布拉格反射镜，布拉格反射镜包括交替层叠的第三层和第四层，第三层的折射率高于第四层的折射率；位于布拉格反射镜和光子晶体层之间的过渡层，过渡层与第三层接触，过渡层中的Al组分大于第二层中的Al组分且小于第三层中的Al组分，且过渡层中的Al组分自布拉格反射镜朝向光子晶体层的方向递减。半导体发光结构的出光效率提高。
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公开(公告)号：CN118737823A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411205903.3
申请日：2024-08-30
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种半导体结构的减薄方法。半导体结构的减薄方法包括：提供半导体结构；半导体结构包括正面和待减薄的背面；提供第一基板；将半导体结构的正面与第一基板一侧键合，对半导体结构的背面进行减薄；提供第二基板，第二基板中具有第一吸附孔；在第二基板的一侧表面设置缓冲膜，缓冲膜中具有第二吸附孔；利用第二基板从缓冲膜一侧吸附半导体结构；吸附状态下，第一吸附孔与第二吸附孔至少部分贯通；将半导体结构的正面与第一基板解键合。本发明提供的半导体结构的减薄方法可以减少半导体结构在解键合过程中出现的缺陷和划痕。
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公开(公告)号：CN118646174A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411118875.1
申请日：2024-08-15
申请人： 四川大学 , 苏州长光华芯光电技术股份有限公司
IPC分类号： H02J50/30
摘要： 本申请提供一种自适应脉冲激光无线能量传输系统、方法及电子设备，涉及无线能量传输技术领域，该系统包括：发射端、接收端和反馈控制端；发射端基于预设控制参数产生脉冲激光，将脉冲激光的一部分传输至控制器，将脉冲激光的另一部分发射至接收端；接收端接收另一部分脉冲激光，并将脉冲激光的光能转换为电能；追踪最大功率，并利用接收端的电源管理装置对电能进行转化；反馈控制端基于传输的一部分脉冲激光的光功率和最大功率，对预设控制参数进行交叉扰动，并将交叉扰动后的控制信号反馈至脉冲激光产生模块，脉冲激光产生模块接收到反馈信号后可调整到最佳脉冲激光频率和占空比，实现了高转换效率的激光无线能量传输。
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公开(公告)号：CN118040459A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410444560.X
申请日：2024-04-15
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/0237 , H01S5/40
摘要： 本发明提供一种半导体封装结构及封装方法，半导体封装结构包括：若干个堆叠结构，每个所述堆叠结构包括：巴条、第一导电散热隔件和第二导电散热隔件、以及电绝缘散热片，电绝缘散热片位于所述第一导电散热隔件和所述巴条的底部、以及部分第二导电散热隔件的底部，第二导电散热隔件的宽度小于第一导电散热隔件的宽度，第一导电散热隔件的高度大于巴条的高度且大于第二导电散热隔件的高度，电绝缘散热片与第一导电散热隔件的底面焊接连接且与巴条和第二导电散热隔件均间隔；第二导电散热隔件位于相邻的堆叠结构中的第一导电散热隔件之间；以及热沉，热沉与电绝缘散热片背离第一导电散热隔件的一侧表面焊接连接。提高了半导体封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN117175349B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311447840.8
申请日：2023-11-02
摘要： 本申请公开了低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，其中低敏感低发散角半导体发光器件包括衬底层，沿衬底层一侧依次堆叠的第一布拉格反射镜、谐振腔和第二布拉格反射镜，谐振腔包括至少三个有源区层，至少一个有源区层远离衬底层的一侧设置有氧化限制层，与氧化限制层相邻的有源区层中至少一个有源区层靠近衬底层的一侧设置有相移调制层，相移调制层的材料的带隙高于低敏感低发散角半导体发光器件发射的激光波长能量的带隙。本申请公开的低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，保证高增益的同时实现低发散角；降低半导体发光器件的环境敏感度，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN117175349A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311447840.8
申请日：2023-11-02
摘要： 本申请公开了低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，其中低敏感低发散角半导体发光器件包括衬底层，沿衬底层一侧依次堆叠的第一布拉格反射镜、谐振腔和第二布拉格反射镜，谐振腔包括至少三个有源区层，至少一个有源区层远离衬底层的一侧设置有氧化限制层，与氧化限制层相邻的有源区层中至少一个有源区层靠近衬底层的一侧设置有相移调制层，相移调制层的材料的带隙高于低敏感低发散角半导体发光器件发射的激光波长能量的带隙。本申请公开的低敏感低发散角半导体发光器件及其制备方法，保证高增益的同时实现低发散角；降低半导体发光器件的环境敏感度，提高生产良率。
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公开(公告)号：CN117169173A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311316823.0
申请日：2023-10-12
摘要： 本发明提供一种外延片光致发光测试装置及其工作方法，其中外延片光致发光测试装置包括：发光结构；旋转支撑座；承载平台，位于旋转支撑座上，承载平台的承载面与旋转支撑座所在的平面垂直，承载平台中具有贯穿承载平台的固定轴，固定轴与旋转支撑座固定连接；载物托盘，位于承载平台的承载面上，载物托盘适于承载外延片，外延片背离承载平台的一侧表面接收发光结构发射出的光；光谱分析仪，光谱分析仪对外延片侧面发出的光进行信息采集与信息输出。所述外延片光致发光测试装置结构简单且测试精确。
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公开(公告)号：CN116316055B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310547285.X
申请日：2023-05-16
摘要： 本申请公开了半导体激光器接触电极及其制备方法，其中半导体激光器接触电极包括衬底层、接触层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层和上盖层；其中，第一扩散阻挡层包括从下至上依次设置的第一粘结金属、难熔金属或难熔合金以及第二粘结金属，第一粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第一互溶异质界面区域，第二粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第二互溶异质界面区域。本申请公开的半导体激光器接触电极及其制备方法，能够提高整个电极的耐高温性能，提升半导体激光器制造的效率和良率；能够使电极电阻仍能保持在较低的量级，提升半导体激光器的性能；有效降低电极厚度，降低应力，进而降低由于电极厚度增加产生的碎裂风险，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN116345302B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310619798.7
申请日：2023-05-30
IPC分类号： H01S5/065
摘要： 本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块，半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制单元；上限制单元包括第一上限制层、第二上限制层和第三上限制层，所述第一上限制层包括第一中间区和第一边缘区，第一边缘区在第一上限制层的宽度方向上分别位于第一中间区的两侧，第二上限制层位于第一边缘区背离上波导层的一侧，第三上限制层位于第一中间区背离上波导层的一侧，第二上限制层的掺杂浓度大于第一上限制层的掺杂浓度且大于第三上限制层的掺杂浓度。所述半导体发光结构避免光束质量退化。
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