发明公开
CN114388510A 存储器单元及其方法
审中-实审
- 专利标题： 存储器单元及其方法
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申请号： CN202111196287.6申请日： 2021-10-14
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公开(公告)号： CN114388510A公开(公告)日： 2022-04-22
- 发明人: J·奥克 , S·F·穆勒
- 申请人： 铁电存储器股份有限公司
- 申请人地址： 德国德累斯顿
- 专利权人： 铁电存储器股份有限公司
- 当前专利权人： 铁电存储器股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国德累斯顿
- 代理机构： 北京市铸成律师事务所
- 代理商 王珺; 李文颖
- 优先权： 17/072,077 20201016 US
- 主分类号： H01L27/11507
- IPC分类号： H01L27/11507 ; H01L27/11509 ; H01L27/11512 ; H01L27/11514
摘要：
根据各个方面，提供一种存储器单元，该存储器单元包括：电容存储器结构；以及场效应晶体管结构，包括栅极隔离；其中电容存储器结构与场效应晶体管结构彼此耦合以形成电容分压器，其中，栅极隔离包括至少一个栅极隔离层，至少一个栅极隔离层包括具有大于4的介电常数的材料，并且其中，至少一个栅极隔离层的厚度介于3nm至10nm的范围内。
IPC分类:
