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公开(公告)号：CN118645141A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410252248.0
申请日：2024-03-06
申请人： 铁电存储器股份有限公司
摘要： 本文公开了用于在读取存储器的存储器单元时校准由感测电路使用的感测电容值的设备、方法和系统。校准电路包括与校准单元的预定义的编程状态相关联的校准单元。校准电路还包括读取电路，该读取电路被配置为对校准单元执行读取操作并基于校准电压将校准电压转换成目标电容值，该读取操作基于预定义的编程状态产生校准电压。读取电路被配置为向存储器提供目标电容值作为在读取存储器的存储器单元时感测电路使用的感测电容。
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公开(公告)号：CN113539319B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110373894.9
申请日：2021-04-07
申请人： 铁电存储器股份有限公司
发明人： M·诺克
IPC分类号： G11C11/22
摘要： 提供了一种存储单元电路(200)，其可以包括：存储单元(202)，该存储单元(202)包括铁电结构(204)；连接到该存储单元(202)的第一控制端子(206‑1)和第二控制端子(206‑2)、第一控制端子(206‑1)和第二控制端子(206‑2)配置为允许对该存储单元(202)进行操作；以及连接到该存储单元(202)的第一辅助端子(212‑1)和第二辅助端子(212‑2)，第一辅助端子(212‑1)和第二辅助端子(212‑2)配置为对该铁电结构(204)提供辅助电压。
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公开(公告)号：CN113496720B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202110334881.0
申请日：2021-03-29
申请人： 铁电存储器股份有限公司
IPC分类号： G11C5/14
摘要： 可以基于根据数字控制方案倾斜的两个或更多个供应电压来操作电子电路，该数字控制方案可以包括将经由第一数字控制电压转换器生成的第一输出电压(Vout(1))的电压值从第一目标电压值 倾斜到第三目标电压值使得第一输出电压(Vout(1))的电压值在第一斜坡区间(T1)期间与第二目标电压值匹配并且在第二斜坡区间(T2)期间与第三目标电压值 匹配；以及将经由第二数字控制电压转换器生成的第二输出电压(Vout到第二目标电压值 使得第二输出电压(Vout(2))的电压值在第一斜坡区间(T1)期间与第二目标电压值 匹配并且在第二斜坡(2))的电压值从第一目标电压值 倾斜
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公开(公告)号：CN113948114B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110794412.7
申请日：2021-07-14
申请人： 铁电存储器股份有限公司
摘要： 提供了一种存储器单元布置，该存储器单元布置可包括：多条第一控制线；多条第二控制线；多条第三控制线；多个存储器单元集中的每个存储器单元集包括存储器单元并且分配给多条第一控制线中的对应的一条第一控制线，并且包括可经由对应的第一控制线、多个第二控制线中的对应的一条第二控制线和多条第三控制线寻址的至少第一存储器单元子集，以及可经由对应的第一控制线、多条第二控制线和多条第三控制线中的对应的一条第三控制线寻址的至少第二存储器单元子集。多条第三控制线中的对应的一条第三控制线对多个存储器单元集中的每个存储器单元集的第二存储器单元子集进行寻址。
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公开(公告)号：CN115458004A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210634419.7
申请日：2022-06-06
申请人： 铁电存储器股份有限公司
发明人： J·奥克
IPC分类号： G11C11/22
摘要： 各个方面涉及一种存储器单元布置，其包括：包括场效应晶体管结构和自发极化存储器层的存储器单元；和配置为通过写入操作引起存储器单元的写入的控制电路，写入操作包括：执行写入序列，该写入序列包括：向存储器单元供应写入信号集合以提供写入电压降，从而通过极化存储器层将存储器单元的阈值电压带入目标范围内，以及随后，向存储器单元供应后调节信号集合以提供相对于写入电压降具有相反极性的后调节电压降，从而通过部分去极化存储器层来改变阈值电压；以及检查阈值电压是否在目标范围内，并且在阈值电压不在目标范围内的情况下重复写入序列。
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公开(公告)号：CN114388510A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111196287.6
申请日：2021-10-14
申请人： 铁电存储器股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11507 , H01L27/11509 , H01L27/11512 , H01L27/11514
摘要： 根据各个方面，提供一种存储器单元，该存储器单元包括：电容存储器结构；以及场效应晶体管结构，包括栅极隔离；其中电容存储器结构与场效应晶体管结构彼此耦合以形成电容分压器，其中，栅极隔离包括至少一个栅极隔离层，至少一个栅极隔离层包括具有大于4的介电常数的材料，并且其中，至少一个栅极隔离层的厚度介于3nm至10nm的范围内。
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公开(公告)号：CN113948494A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110796964.1
申请日：2021-07-14
申请人： 铁电存储器股份有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明提供了一种存储器单元布置及其方法，所述存储器单元布置可以包括：多个电极层，其中，多个电极层中的每个电极层包括多个通孔，多个通孔中的每个通孔从相应电极层的第一表面延伸到第二表面；多个电极柱，其中，多个电极柱中的每个电极柱包括多个电极部分，其中，多个电极部分中的每个电极部分设置在多个通孔中对应的一个通孔内；其中，至少一个剩余可极化部分设置在多个通孔的每个通孔中，位于相应的电极层与相应的电极部分之间的间隙中。
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公开(公告)号：CN113948115A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110796013.4
申请日：2021-07-14
申请人： 铁电存储器股份有限公司
发明人： M·门内加
摘要： 本发明提供一种存储器单元布置。根据各个方面，所述存储器单元布置包含：第一控制线和第二控制线；多个存储器结构，其设置在该第一控制线与该第二控制线之间，其中，所述多个存储器结构中的每个存储器结构包括第三控制线、第一存储器单元和第二存储器单元；其中，对于所述多个存储器结构中的每个存储器结构，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元通过所述第三控制线彼此耦合；其中，对于所述多个存储器结构中的每个存储器结构，所述第一存储器单元耦合至所述第一控制线，并且所述第二存储器单元耦合至所述第二控制线。
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公开(公告)号：CN113539319A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110373894.9
申请日：2021-04-07
申请人： 铁电存储器股份有限公司
发明人： M·诺克
IPC分类号： G11C11/22
摘要： 提供了一种存储单元电路(200)，其可以包括：存储单元(202)，该存储单元(202)包括铁电结构(204)；连接到该存储单元(202)的第一控制端子(206‑1)和第二控制端子(206‑2)、第一控制端子(206‑1)和第二控制端子(206‑2)配置为允许对该存储单元(202)进行操作；以及连接到该存储单元(202)的第一辅助端子(212‑1)和第二辅助端子(212‑2)，第一辅助端子(212‑1)和第二辅助端子(212‑2)配置为对该铁电结构(204)提供辅助电压。
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公开(公告)号：CN114930456A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008572.2
申请日：2021-01-08
申请人： 铁电存储器股份有限公司
摘要： 一种铁电存储器电路(100)包括：存储器单元(102)，其中存储器单元(102)的存储器状态(102s)可在第一存储器状态与第二存储器状态之间切换，存储器单元(102)还配置成响应于接收读出电压(103)而输出电流(101)；和感测电路(104)，其配置成基于对由存储器单元(102)输出的电流(101)积分的结果来输出输出电压(105)，其中输出电压(105)表示存储器状态(102s)是第一存储器状态还是第二存储器状态。
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