- 专利标题: 一种低介电常数硅酸盐微波介质陶瓷及其制备方法
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申请号: CN202111621061.6申请日: 2021-12-28
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公开(公告)号: CN114394827A公开(公告)日: 2022-04-26
- 发明人: 吕学鹏
- 申请人: 南京工程学院
- 申请人地址: 江苏省南京市江宁科学园弘景大道1号
- 专利权人: 南京工程学院
- 当前专利权人: 南京工程学院
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市江宁科学园弘景大道1号
- 代理机构: 镇江信众合一专利代理事务所
- 代理商 蔡士超
- 主分类号: C04B35/16
- IPC分类号: C04B35/16 ; C04B35/622
摘要:
本发明公开了一种低介电常数硅酸盐微波介质陶瓷及其制备方法,该陶瓷的化学表达式为Ca1‑x‑y/2AxMg1‑y/2BySi3O9‑zBa5Si8O21,其中A=Sr、Ba;B=Zn、Co、Mn;0.02≤x≤0.10;0.10≤y≤0.50;0.30≤z≤0.50。该陶瓷材料制备工艺依次如下:合成Ca1‑x‑y/2AxMg1‑y/2BySi3O9粉体、合成Ba5Si8O21粉体、复合粉末配制、球磨、DCS快速烧结成瓷。本发明一方面通过微量Sr离子取代提高CaMgSi3O9晶相的Qf值,另一方面通过Zn或Co获Mn离子共取代A、B位调控CaMgSi3O9结构的层状结构,进而调控其Qf值和τf值。此外,本发明制备所得Ca1‑x‑y/2AxMg1‑y/2BySi3O9‑zBa5Si8O21陶瓷材料的介电常数为5.5~8.2,Qf值为28500~76450GHz,τf值在±15 ppm/℃以内,且制备工艺简单,制备周期短,工艺稳定好,抗还原特性好,可耐还原气氛烧结而使用贱金属内电极,适合制造温度补偿型MLCC电容器。
公开/授权文献
- CN114394827B 一种低介电常数硅酸盐微波介质陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2022-12-23
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