发明公开
- 专利标题： 一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法
-
申请号： CN202210248047.4申请日： 2022-03-14
-
公开(公告)号： CN114411234A公开(公告)日： 2022-04-29
- 发明人: 穆道斌 , 吴伯荣 , 杨卓林 , 赵志坤 , 路士杰 , 张新宇
- 申请人： 北京理工大学
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村南大街5号
- 专利权人： 北京理工大学
- 当前专利权人： 北京理工大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村南大街5号
- 代理机构： 北京理工大学专利中心
- 代理商 张洁
- 优先权： 2021116537810 20211230 CN
- 主分类号： C30B1/02
- IPC分类号： C30B1/02 ; C30B29/22 ; H01M4/505 ; H01M4/525 ; H01M10/0525
摘要：
本发明涉及一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法，属于锂离子电池技术领域。所述方法首先将镍钴锰氢氧化物前驱体与LiOH研磨混合均匀，得到混合粉末A；然后将混合粉末A加热至830℃～870℃，保温2～7h，然后以1.5℃/min～4℃/min的降温速率冷却至室温，得到粉末B；之后将粉末B置于球磨罐中，加入异丙醇进行球磨，球磨完成后抽滤、烘干，得到粉末C；最后将所述粉末C加热至700℃～750℃，保温6～15h，然后以1.5℃/min～4℃/min的降温速率冷却至室温，得到一种高镍单晶三元材料。所述方法在维持单晶形貌的同时发挥了优异的电化学性能。
公开/授权文献
- CN114411234B 一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法 公开/授权日：2023-05-30
IPC分类:
