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公开(公告)号:CN118782786A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202410921680.4
申请日:2024-07-10
申请人: 格林美(无锡)能源材料有限公司
摘要: 本发明属于正极材料制备技术领域,具体涉及一种单晶三元正极材料及其制备方法和应用。本发明提供的单晶三元正极材料的制备方法包括:在配置的含锆的第一、第二反应液中加入碱铝溶液,制备得到第一、第二前驱体;将第一、第二前驱体分别与锂盐混合,经第一、第二烧结后得到第一正极材料预产物和第二正极材料预产物;第一正极材料预产物的中值粒径D50为3‑6μm;第二正极材料预产物的中值粒径D50为17‑20μm;将第一正极材料预产物、第二正极材料预产物和添加剂混合,经第三烧结后得到单晶三元正极材料。所制得的单晶三元正极材料在高电压体系下提升了其均匀性与稳定性,具备高容量和更好的循环稳定性能,提高了电池的体积能量密度。
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公开(公告)号:CN118684277A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410765195.2
申请日:2024-06-14
申请人: 芜湖佳纳新能源材料有限公司 , 江西佳纳能源科技有限公司 , 广东佳纳能源科技有限公司 , 清远佳致新材料研究院有限公司
IPC分类号: C01G53/00 , C30B1/02 , C30B29/22 , C30B29/10 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/131 , H01M10/0525 , H01M10/54 , B09B3/40 , B09B101/16
摘要: 本发明涉及废旧锂电池正极材料回收技术领域,具体而言,涉及利用废旧正极材料制备梯度单晶正极材料的方法、梯度单晶正极材料、正极片和锂离子电池。将化学组成不同的微米级废旧正极材料和纳米级废旧正极材料与补锂剂混合后焙烧,得到焙烧料;微米级废旧正极材料的D50粒径为1~5μm;纳米级废旧正极材料的D50粒径为1~700nm;将焙烧料洗涤并干燥后进行保温修复处理,得到梯度单晶正极材料。本发明通过废旧正极材料大、小颗粒混掺的方式,利用补锂剂提供的熔融环境,以大颗粒为晶核、小粒子溶解后往晶核上迁移再生,使大颗粒晶核尺寸得到进一步增长,得到具有独特结构的梯度组分单晶正极材料。
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公开(公告)号:CN118563420A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410564419.3
申请日:2024-05-08
申请人: 燕山大学
摘要: 本申请涉及一种由铜和硼构成的晶体材料及其制备方法。具体地,本申请公开了一种由铜和硼构成的晶体材料,其化学式为CuxB50,其中x=3.9‑4.1,其晶体结构是由四个B12二十面体和两个独立的硼原子组成结构框架,铜原子完全或部分占据在框架间隙中,属于P42/nnm空间群。本申请还公开了该晶体材料的制备方法,制备方法主要包括A)原料填装;B)高温高压反应;C)样品后处理等步骤。该晶体材料维氏硬度大于20GPa,并且具有良好的电导率(104S/m–106S/m),是所有以B12团簇为结构基元的硼化物中电导率最高的,因此在热电材料、特种导电材料等领域具有广阔的应用。
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公开(公告)号:CN118292088A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410398630.2
申请日:2024-04-03
申请人: 宁夏大学
摘要: 本申请公开了一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法,至少包括如下有益效果:金属诱导法制备晶化硅薄膜的过程中,首先将铝薄膜沉积在Si(100)衬底表面,通过改变铝沉积时的衬底温度就可以对后续晶化硅薄膜的微观组织加以调控,然后再将非晶硅薄膜沉积在铝薄膜表面,随后进行管式炉退火,铝与非晶硅之间会发生反应,铝充当了一种催化剂,导致非晶硅薄膜晶化的退火温度降低,可以形成择优取向大于97%以上的晶化硅薄膜,降低了制备单晶硅薄膜的成本。
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公开(公告)号:CN115595658B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202211323127.8
申请日:2022-10-27
申请人: 松山湖材料实验室 , 中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司
IPC分类号: C30B23/02 , C30B1/02 , C30B29/02 , C25D5/50 , C25D5/54 , C25D3/38 , C25D1/20 , H05K1/09 , H05K3/00
摘要: 本申请涉及铜材制备技术领域,具体而言,涉及一种低传输损耗单晶铜材及其制备方法、PCB板及其制备方法和电子元器件。低传输损耗单晶铜材的制备方法包括:于氩气和氢气的混合气氛围中,800‑1065℃的温度条件下,在表面为石墨烯层的衬底上形成单晶铜层,将单晶铜层从衬底上剥离;其中,混合气中,氩气和氢气的体积比为(10‑20):1。本申请提供的低传输损耗单晶铜材的制备方法可显著降低形成的铜材的表面粗糙度Rz,进而有利于进一步降低整个低传输损耗单晶铜材的传输损耗,且制备方法简单易行。
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公开(公告)号:CN115537906B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202211330401.4
申请日:2022-10-27
申请人: 合肥国轩高科动力能源有限公司
摘要: 本发明提供了一种改性单晶三元正极材料及其制备方法、锂离子电池。该制备方法包括:步骤S1,含氧气气氛中,将包括单晶型三元正极前驱体NixCoyMn1‑x‑y(OH)2、锂源、硅源、偶联剂的物料混合后进行一次烧结,得到中和剂;步骤S2,将包括第一异氰酸酯、含氮和/或磷的醇类化合物、第一扩链剂、第二扩链剂、中和剂的原料进行反应后烘干得到预烧结料;步骤S3,对预烧结料进行二次烧结,得到磷氮硅共掺碳层包覆物料,再采用氮离子束轰击包覆物料,得到改性料;步骤S4,将改性料与第二异氰酸酯机械搅拌混合后进行热处理,得到改性单晶三元正极材料,使得相应的电池在高截止电压下具有较高的放电容量与循环稳定性。
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公开(公告)号:CN118048675A
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202410197783.0
申请日:2024-02-22
申请人: 贵州大学
IPC分类号: C30B1/02 , C30B29/22 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
摘要: 本发明提出锂离子电池用高镍单晶正极材料及制备方法和低温电解液,包括准备LiNiaCobMncO2多晶三元正极材料,再将其放入烧结炉中进行烧结,烧结后冷却,并采用球磨破碎的技术进行破碎,最后再进行烧结,烧结后取出得到单晶LiNiaCobMncO2正极材料共计五个步骤,本发明整体通过控制球磨转速、煅烧温度和时间制备得到高镍单晶正极材料,适用于不同性能需求的高镍三元正极材料产品,采用高温煅烧结合球磨的策略,工艺简单、能耗低,实现高性能锂离子电池正极材料的大规模制备,再通过调整电解液的锂盐、溶剂及成膜添加剂的组成及用量,提高锂离子电池在低温下工作的电化学性能,适应低温环境,确保锂离子电池的工作效率。
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公开(公告)号:CN118016872A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202311641397.8
申请日:2023-11-30
申请人: 厦门厦钨新能源材料股份有限公司
IPC分类号: H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/485 , H01M4/131 , H01M10/0525 , C01G53/00 , C30B29/22 , C30B1/02 , C30B1/10
摘要: 本发明涉及电池材料技术领域,公开了提供规则富锂单晶正极材料及其制备方法、正极和电池。公开的规则富锂单晶正极材料,正极材料的规则度α>0.65,α的测定方法为:统计一张正极材料的微观图像中的每颗单晶颗粒的投影面积S,测算对应的单晶颗粒的外接圆面积S’,总统计颗粒个数为n,α=Σ(S/S’)/n。公开的制备方法,包括:将金属氢氧化物前驱体与含有掺杂金属的化合物混合烧结得到中间品,将中间品与锂源混合烧结。金属氢氧化物前驱体的BET>12m2/g。本发明公开的正极材料具有较高的规则度,公开的制备方法能制得较高规则度的正极材料,高规则度的正极材料电化学性能好。
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公开(公告)号:CN117947513A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202410202035.7
申请日:2024-02-23
申请人: 中国科学院化学研究所 , 天津理工大学
摘要: 本发明公开了一种高质量CsPbBr3单晶微结构的低温制备方法,包括以下步骤:制备尺寸均匀的CsPbBr3纳米粒子,并将其溶解在正己烷溶液中制成CsPbBr3纳米粒子溶液;在衬底上旋涂光刻胶进行图案化曝光形成电极;依次将金属Cr和金属Au蒸镀在衬底上;对衬底进行蚀刻处理,将CsPbBr3纳米粒子溶液滴在衬底上,并在正己烷蒸气的气氛中缓慢挥发,组装为CsPbBr3纳米粒子超晶格立方体;将CsPbBr3纳米粒子超晶格立方体置于真空管炉内烧结,得到CsPbBr3单晶微结构。本发明的低温制备方法制备的CsPbBr3单晶微结构尺寸分布均匀,表面光滑干净,形态规则,具有很强的荧光发射,促进了低成本和集成灵活性钙钛矿光电器件的应用。
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公开(公告)号:CN117926409A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202211300493.1
申请日:2022-10-24
申请人: 四川大学
摘要: 本发明提供了一种常规超导体材料的单晶,其化学式为W3P。本发明还提供一种常压下很难获得其单晶的制备方法,其包括以下步骤:(1)将钨粉和红磷粉末以3:1的摩尔比例充分研磨混合均匀;(2)将所述原料密封包裹后,进行合成;(3)将合成产物降温至室温,卸压,从而制得W3P晶体。本发明首次制备出高质量的W3P单晶,首次发现调控其温压条件可以获得不同结构的W3P单晶。目前获得的3种不同结构分别对应不同的超导转变温度,5.7K,5.9K,6.4K,均比常压报道的Tc~2.25K高。本发明为提升材料的超导性能提供了一种新思路:通过高温高压方法直接在材料合成过程中调控其晶体的结构从而改变其超导转变温度。因此本发明在超导领域具有潜在的应用价值。
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