发明公开
- 专利标题: 气流调节装置和方法及应用该装置的等离子体处理装置
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申请号: CN202011174872.1申请日: 2020-10-28
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公开(公告)号: CN114420524A公开(公告)日: 2022-04-29
- 发明人: 吴磊 , 张一川 , 刘身健 , 黄允文 , 王凯麟
- 申请人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海元好知识产权代理有限公司
- 代理商 张妍; 周乃鑫
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32 ; H01L21/67
摘要:
一种等离子体处理装置,以及用于该等离子体处理装置的气流调节装置和气流调节方法,等离子体处理装置包含一连接进气装置和排气装置的真空反应腔,真空反应腔内设置一用于支撑基片的基座,基座上方为等离子体区域,环绕基座外围设置一具有气体通道的等离子体约束环,在等离子体约束环下方的排气区域内增设一具有气体通道的气流调节装置,通过调节气流调节装置上的气体通道的开度大小,实现对排气区域内的气流分布的调节,从而实现基座上方等离子体区域的气流均匀分布。本发明实现了等离子体区域的气流均匀分布,保证了刻蚀均匀性,确保了产品良率,同时降低了设备成本。
公开/授权文献
- CN114420524B 气流调节装置和方法及应用该装置的等离子体处理装置 公开/授权日:2023-10-31