本发明公开了一种优化FBAR空腔平坦化工艺缺陷的方法，包括：基底表面具有空腔，在所述空腔内沉积牺牲层；平坦化牺牲层以使得所述牺牲层表面碟形坑为正值得到平坦化器件；将平坦化器件加热至1000℃‑1200℃退火30min‑60min得到热处理器件；在热处理器件表面溅射一层TaN，利用化学机械抛光法抛光TaN层至基底表面得到第二平坦化器件；在所述第二平坦化器件表面沉积压电振荡堆和金属pad层，去除牺牲层得到空腔型FBAR。该方法能够使得FBAR谐振器具有较为电极稳定的结构，较高Q值。本发明还公开了采用该方法制备的FBAR谐振器，以及该FBAR谐振器在制备圆晶片上的应用。