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公开(公告)号：CN118921032A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411353894.2
申请日：2024-09-27
申请人： 合肥矽迈微电子科技有限公司
发明人： 谭小春
摘要： 本发明公开了一种半导体封装结构、器件及其封装工艺，包括以下步骤：谐振器封装步骤：提供一基板，基板上均匀倒置有多个陶瓷的谐振器，谐振器的底面暴露，在暴露的底面电极垫位置贴装导电块，塑封谐振器，并在封装面水平研磨至暴露出导电块顶面；热敏电阻封装步骤：在研磨后的封装面每个谐振器的对应位置贴装热敏电阻，热敏电阻通过电镀的电路与导电块电性连接，从而实现与谐振器的电性连接；控制芯片封装步骤：在封装面相应位置贴装控制芯片，控制芯片一方面通过电镀的立柱直接与谐振器的导电块电性连接，另一方面通过互连层与热敏电阻的电路电性连接，本发明将陶瓷的谐振器与塑封体堆叠形成晶振异质堆叠结构。
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公开(公告)号：CN117792331B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202311844107.X
申请日：2023-12-28
申请人： 上海馨欧集成微电有限公司
发明人： 邵率
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公开(公告)号：CN118900113A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410536612.6
申请日：2024-04-30
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 提供了一种包括多个体声学谐振器的带通滤波器。每个谐振器包括压电层、在压电层上的叉指换能器(IDT)、以及设置在IDT的交错指之上和之间的介电层。此外，多个体声学谐振器包括串联连接在带通滤波器的输入和输出之间的串联谐振器、连接在地与多个串联谐振器的相应一对串联谐振器间的节点之间的并联谐振器、连接在地与输入和第一串联谐振器间的节点之间的第一抽取极点谐振器、以及连接在地与输出和最末串联谐振器间的节点之间的第二抽取极点谐振器。抽取极点谐振器之一具有比带通滤波器的通带的上边缘高的谐振频率。
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公开(公告)号：CN118900105A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410989852.1
申请日：2024-07-23
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种MEMS压电谐振器的制造方法及MEMS压电谐振器。其中，该MEMS压电谐振器的制造方法包括提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括由下至上依次层叠设置的第一绝缘层、衬底、第二绝缘层和器件层；在器件层由下至上依次形成第一电极层、压电层和暴露部分压电层的第二电极层；图案化第一电极层、压电层和第二电极层，以形成第一电极、压电结构和第二电极，并暴露部分器件层；对暴露的器件层进行刻蚀，形成第一释放口和第二释放口；通过第一释放口和第二释放口去除部分第二绝缘层，形成MEMS压电谐振器。本方案通可以降低MEMS压电谐振器的制造成本。
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公开(公告)号：CN118074655B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410275988.6
申请日：2024-03-11
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器制备技术领域。该薄膜体声波谐振器包括：基底层、依次层叠设置在基底层上的底电极层、压电层和顶电极层，基底层内设有第一空腔、环绕第一空腔的第一保护墙和第二保护墙，第二保护墙位于第一保护墙上方，第二保护墙由第一保护墙向靠近第一空腔的方向倾斜。该薄膜体声波谐振器通过在基底层内设置第一保护墙和倾斜的第二保护墙，能够防止第一空腔释放过程中腐蚀气体或者腐蚀液由保护墙上方横向泄露，避免因保护墙无法阻挡而造成的横向腐蚀损坏器件。
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公开(公告)号：CN118868835A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410884907.2
申请日：2024-07-03
申请人： 上海大学
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/13 , H03H9/17 , G06F30/27 , G06F30/373 , G06N3/0499
摘要： 本发明涉及一种不规则电极的生成方法、不规则电极的薄膜体声波谐振器，属于微机电(MEMS)技术领域，该生成方法包括：S1、在极坐标系中将多个随机振幅、随机相位的正弦波相叠加；S2、计算阻抗频率曲线中谐振频率点附近的杂散模态数量，设置波动阈值Δs，若是阻抗频率曲线的振幅S>Δs，则记为一处杂散模态，一个器件中，谐振点附近的杂散模态总数量记为M；S3、建立前馈神经网络，将S1得到的单个不规则多边形的坐标编码为一维向量V，作为输入层，将其对应的杂散模态的数量M，作为输出层；输出层和输入层在训练前将进行归一化操作，使之能够与神经网络的结构所匹配，使用adam优化器，优化目标设置为杂散模态的数量M最小，进行训练，得到不规则多边形与杂散模态数量的关系模型；用验证集进行验证，得到关系模型；S4、利用S3中验证后的关系模型生成一组新的不规则多边形，将生成的多边形作为薄膜体声波谐振器的电极形状，得到薄膜体声波谐振器用不规则电极。与现有技术相比，本发明所采用的不规则电极形状结构经验证能够有效地抑制横向驻波的生成，进而减少频谱中的杂散模态。
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公开(公告)号：CN118826681A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410465262.9
申请日：2024-04-18
申请人： 三安日本科技株式会社
摘要： 本申请涉及一种弹性波器件，其中，该弹性波器件包括器件芯片、功能元件、支撑层和覆盖层，支撑层由树脂制成，形成于器件芯片的一面和覆盖层的中间，用于支撑所述覆盖层，覆盖层由树脂制成；支撑层包括与器件芯片的一面相接的下层部、和位于覆盖层与下层部之间且与两者相接的上层部；其中，下层部由非感光性树脂构成，上层部由感光性树脂构成；下层部的非感光性树脂的热导率，高于上层部的感光性树脂的热导率，通过本申请，提高了构成该弹性波器件的器件芯片的散热性。
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公开(公告)号：CN116979925B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311008006.9
申请日：2023-08-10
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，以及应用该薄膜体声波谐振器的滤波器，该薄膜体声波谐振器包括基底和位于基底一侧依次排布的介质腔、第一电极、压电层和第二电极，在第二电极与压电层之间，和/或，在第一电极与压电层之间设置有第一间隙，第一间隙的至少一端为谐振器有源区域的边界，通过在第一间隙内设置至少一个介质块，且介质块同时与压电层以及第一间隙背离压电层一侧的电极相接触，将第一间隙分隔为至少两个子间隙，不仅可以提高第一间隙的物理强度，还使得第一间隙的高度可以更高，以更有效地反射声波，而且在压电层边界引入更多不连续的声阻抗变化，进一步增强对声波的反射，减小能量损耗，提升谐振器的性能。
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公开(公告)号：CN118734767A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411225001.6
申请日：2024-09-03
申请人： 苏州汉天下电子有限公司
发明人： 杨清华
IPC分类号： G06F30/367 , H03H9/54 , H03H3/02
摘要： 本公开提供一种体声波滤波器、设计方法、制造方法及通信设备，包括：采用串联薄膜体声波谐振器和并联薄膜体声波谐振器搭建梯形拓扑结构的体声波滤波器，串联薄膜体声波谐振器和并联薄膜体声波谐振器均包括功能层和具有凸起的框架结构，其中功能层包括下电极、压电层、上电极；仿真得到体声波滤波器的频率响应曲线，识别体声波滤波器通带低频处由串联薄膜体声波谐振器和并联薄膜体声波谐振器中框架结构的凸起导致的寄生通带的频率范围；在对应寄生通带的频率范围处将串联薄膜体声波谐振器的寄生谐振频率设计为低于并联薄膜体声波谐振器的寄生谐振频率，从而在寄生通带的频率范围处形成取代寄生通带的寄生阻带。
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