本发明提供一种具有栅场板结构的横向功率器件及其制备方法，所述横向功率器件包括：衬底，所述衬底沿横向方向包括沟道区和第二导电类型的漂移区；平面场板结构，设置于所述漂移区上，所述平面场板结构包括高温氧化物层；栅结构，所述栅结构包括邻接所述平面场板结构而设置于所述衬底上的栅介质层和覆盖所述平面场板结构一部分的栅电极层，所述平面场板结构的底面不低于所述栅介质层的底面。本发明提供的具有栅场板结构的横向功率器件包括高温氧化物层，其底面不低于栅介质层的底面，且具有平缓的剖面，有利于场板覆盖区域内获得电势分布的平缓变化。