发明公开
- 专利标题： 半导体装置和结构体的制造方法
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申请号： CN202080069088.6申请日： 2020-10-09
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公开(公告)号： CN114467183A公开(公告)日： 2022-05-10
- 发明人: 市川磨 , 堀切文正 , 福原昇
- 申请人： 株式会社赛奧科思 , 住友化学株式会社
- 申请人地址： 日本茨城县;
- 专利权人： 株式会社赛奧科思,住友化学株式会社
- 当前专利权人： 株式会社赛奧科思,住友化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本茨城县;
- 优先权： 2019-205235 20191113 JP
- 国际申请： PCT/JP2020/038332 2020.10.09
- 国际公布： WO2021/095410 JA 2021.05.20
- 进入国家日期： 2022-03-31
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L21/335 ; H01L21/311 ; H01L21/28 ; H01L29/423
摘要：
半导体装置具有：衬底；形成于衬底上，由Ⅲ族氮化物构成的Ⅲ族氮化物层；形成于Ⅲ族氮化物层的凹部，Ⅲ族氮化物层具有：沟道层；形成于沟道层上，在所述沟道层形成二维电子气体的阻挡层，阻挡层具有：由氮化铝镓构成的第1层；形成于第1层上，由添加有n型杂质的氮化铝镓构成的第2层，凹部通过除去第2层的厚度的全部或一部分而形成，在凹部的下方，配置有第1层的厚度的至少一部分。
IPC分类:
