本申请提供了一种EUV光掩模缺陷定位方法，属于EUV光刻技术领域，所述方法包括以下步骤：在EUV光掩模基板上制备光刻机需要的对准图形；检测缺陷位置,得到坐标(x,y)；光刻机根据所述对准图形进行对准；光刻机以所述缺陷位置为固定点写入规则图形并显影；获得缺陷在所述规则图形中距离所述固定点的横向距离Δx和纵向距离Δy；计算得到缺陷在光刻机坐标系下的精确坐标(x+Δx，y+Δy)。通过本申请的处理方案，节省了设备的使用并且缩短了EUV光掩模制造的时间，提高了缺陷位置的精确度。