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公开(公告)号：CN118363256A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410555889.3
申请日：2024-05-07
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
摘要： 本申请提供一种利于定位光掩模缺陷位置的方法及系统，应用于光掩模缺陷分析定位技术领域，其中，包括如下步骤：标记制作步骤：在光掩模上的目标缺陷位置制作出标记图形；光掩模处理步骤：通过定位标记图形，对在目标缺陷位置制作标记图形的光掩模进行处理分析，判断目标缺陷出处。本发明在光掩模上制作出具有定位特性的标志图形，裂片处理时能快速有效的定位缺陷位置，成分分析过程中可有效提高目标缺陷的辨识度，便于找到和区分目标缺陷，适用于光掩模缺陷分析过程中难定位的情况，可有效提高目标缺陷的辨识度，利于制样及在分析设备上便于找到和区分目标缺陷。
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公开(公告)号：CN116774518A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310761491.0
申请日：2023-06-26
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
摘要： 本申请提供一种改善光掩模表面静电的处理方法，涉及光掩模的领域，其步骤如下：将光掩模进行高温烘烤和/或等离子体表面处理；其中，高温烘烤的温度在80‑200℃，等离子体表面处理采用含氟气体。通过采用高温烘烤、等离子体表面处理或者高温烘烤加等离子体表面处理的方式对光掩模表面进行除静电，能够有效的去除光掩模表面的静电现象，使得光掩模在完成去光阻步骤后，无需等待较长时间，即可进行CD‑SEM的量测。
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公开(公告)号：CN114488685A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111671010.4
申请日：2021-12-31
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
发明人： 郑怀志
摘要： 本申请提供了一种EUV光掩模缺陷定位方法，属于EUV光刻技术领域，所述方法包括以下步骤：在EUV光掩模基板上制备光刻机需要的对准图形；检测缺陷位置,得到坐标(x,y)；光刻机根据所述对准图形进行对准；光刻机以所述缺陷位置为固定点写入规则图形并显影；获得缺陷在所述规则图形中距离所述固定点的横向距离Δx和纵向距离Δy；计算得到缺陷在光刻机坐标系下的精确坐标(x+Δx，y+Δy)。通过本申请的处理方案，节省了设备的使用并且缩短了EUV光掩模制造的时间，提高了缺陷位置的精确度。
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公开(公告)号：CN117850155B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410011774.8
申请日：2024-01-02
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
摘要： 本申请提供一种光掩模注记差的修正方法及系统，应用于光掩模的应用技术领域，其中，包括：对光掩模图档插入注记差量测图形；通过曝光机对插入注记差量测图形的光掩模图档进行曝光，量测光掩模的注记差；通过量测的注记差补偿曝光机的修正参数；通过修正参数补偿后的曝光机对光掩模图档进行曝光，修正光掩模的注记差。本申请是在光掩模的曝光图形上插入注记差的量测图形再曝光得到误差，再将此误差通过GMC修正补偿到曝光机台后曝光，得到更小的注记差或是与其前层光掩模叠对差更小，进而可以协助芯片曝光时层与层的曝光图档，提升芯片的性能和良率。
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公开(公告)号：CN117620633A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311710905.3
申请日：2023-12-12
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
摘要： 本申请提供一种光掩模装卸设备，应用于光掩模技术领域，其中包括盒体，所述盒体内设置有基座，所述基座用于盛放光掩模，所述盒体的开口处通过开盒器连接有盒盖，所述开盒器控制盒盖升降；所述盒盖连接有风机，在盒盖上升的过程中，所述风机对盒盖与盒体之间的空间鼓气，以保持盒盖与盒体之间空间的气压大于或等于外部气压。通过在进行开盖的过程中风机朝向盒体鼓气，盒盖与盒体之间空间的气压大于或等于外部气压，避免因开盖的过程中盒体内气压交底导致外部的杂质灰尘颗粒进入至盒体中对盒体内的光掩模造成污染，从而提高光掩模生产的良率。
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公开(公告)号：CN116931364A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310925138.1
申请日：2023-07-26
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
IPC分类号： G03F1/82
摘要： 本发明提供一种掩模版的污渍去除方法。掩模版是一种图像处理技术，用于从图像中提取对象或感兴趣区域；其工作原理为利用事先准备好的掩模版，通过将掩模版应用到图像处理中，将与掩模版相匹配的区域提取出来，而忽略其他区域；掩模版在实际使用中很容易沾染来自空气中的灰尘等污渍，影响其工作效率；传统清洗方法对掩模版的清洗存在不彻底的问题，掩模版在使用过程中产生的污渍沾染难以清洗干净；本发明提供的污渍去除方法能有效去除掩模版的污渍，增加了掩模版的使用效率，延长了掩模版的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114823283A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210270342.X
申请日：2022-03-18
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种去除微小颗粒的冷冻清洗方法及装置，方法包括：将待清洗基板冷却至一定温度；对待清洗基板喷淋超纯去离子水形成水膜；存在颗粒处先开始结冰形成冰颗粒，冰颗粒上浮脱离滞留层；喷淋超纯去离子水将冰颗粒融化并旋干待清洗基板。装置包括：可旋转平台，用于承载待清洗基板；冷却构件，设置于可旋转平台内，且位于待清洗基板的下方，冷却构件用于对待清洗基板进行冷却；可移动手臂，位于可旋转平台的上方，可移动手臂上设有喷嘴，喷嘴的喷射方向朝向待清洗基板，可移动手臂带动喷嘴对待清洗基板喷淋超纯去离子水。通过本申请的处理方案，提高了微小颗粒的清除效能。
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公开(公告)号：CN114815517B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210403500.4
申请日：2022-04-18
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本申请提供了一种光掩模曝光方法，属于电子束曝光技术领域，该方法包括：对预处理图形进行图形识别；根据图形尺寸将所述预处理图形分为第一图形区和第二图形区，所述第一图形区为大尺寸图形，所述第二图形区为精密图形；将所述第一图形区和所述第二图形区进行切割；对所述第一图形区通过不铺满以及无重叠的方式进行曝光；对所述第二图形区进行精密曝光。通过本申请的处理方案，有效降低了曝光时间，并降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN115494695B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202211047725.7
申请日：2022-08-30
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
摘要： 本申请提供了一种修正光掩模图形位置偏差的设备及方法，属于光掩模技术领域，具体包括上盖板和下盖板，上盖板和下盖板之间通过上盖板支柱连接，上盖板下侧设有光掩模，光掩模通过光掩模支柱固定于下盖板上，光掩模下侧设有保护膜边框，保护膜边框内设有保护膜，保护膜边框通过保护膜支柱固定于下盖板上，上盖板支柱、光掩模支柱和保护膜支柱均设置为可伸缩结构；保护膜边框的外周设有控制棒，控制棒远离保护膜边框的一端连接有微距控制组件，微距控制组件用于控制控制棒带动保护膜边框进行移动；设备还包括控制系统，与设备内的各个部件连接进行控制。本申请提高了光掩模图形位置准确性和芯片良率。
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公开(公告)号：CN117872671A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311733528.5
申请日：2023-12-15
申请人： 广州新锐光掩模科技有限公司
摘要： 本申请提供一种调整相移掩模版相位差和穿透率的方法及系统，应用相移掩模版的应用技术领域，其中，包括：对于相移层上已生成氧化层的相移掩模版，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，以调整相移掩模版相位差和穿透率。本申请可以安全实现改善相移掩模版相位差和穿透率偏差问题，利用含氟等离子体对氧化层的蚀刻作用将其去除，而含氧等离子体的氧化作用可使氧化层重新形成，以此实现对相位差和穿透率的调整，不影响图形形态和关键尺寸，提高精确度和光刻分辨率。
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