本发明提供一种碳化硅器件正面结构保护方法和装置，完成碳化硅衬底背面金属溅射后，在碳化硅衬底上表面生长牺牲层；采用退火工艺对背面金属进行高温退火；采用湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺去除牺牲层，本发明通过在对背面金属进行退火前生长牺牲层，并在退火后去除牺牲层实现对正面结构的保护，牺牲层去除彻底，不会对正面结构表面造成污染，提高了半导体功率器件的可靠性；采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积氮化硅膜和二氧化硅膜的速率快，成膜质量好，针孔较少，且不易龟裂；本发明提供的技术方案在对正面结构进行保护时不会引入新的杂质或造成额外损伤，采用的工艺与其他制备碳化硅器件的工艺兼容，实用性强。