本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种带温度采样功能的屏蔽栅器件，器件的元胞区包括多个常规元胞和多个采样元胞，通过利用所述采样元胞中多晶硅PN结二极管正向压降的负温度特性，将多晶硅PN结二极管作为温度传感器实时监测屏蔽栅器件的温度变化。由于采样元胞与常规元胞集成，能够更好监测到屏蔽栅器件的内部温度，从而在出现过温时及时检测，避免器件被烧毁。同时由于采样元胞的结构相对于常规元胞微调，因此采样元胞与常规元胞工艺兼容，采样相同工艺步骤制作完成，不会过多增加工艺难度，节约成本。