发明公开
- 专利标题: 一种低损耗小体积的肖特基二极管
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申请号: CN202210086720.9申请日: 2022-01-25
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公开(公告)号: CN114497234A公开(公告)日: 2022-05-13
- 发明人: 许卫林
- 申请人: 先之科半导体科技(东莞)有限公司
- 申请人地址: 广东省东莞市寮步镇寮步百业路70号1栋、2栋
- 专利权人: 先之科半导体科技(东莞)有限公司
- 当前专利权人: 先之科半导体科技(东莞)有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省东莞市寮步镇寮步百业路70号1栋、2栋
- 主分类号: H01L29/872
- IPC分类号: H01L29/872 ; H01L23/498 ; H01L23/367 ; H01L23/31
摘要:
本发明提供了一种低损耗小体积的肖特基二极管,包括绝缘封装壳、肖特基芯片、阴极引脚、阳极引脚,其特征在于,所述绝缘封装壳包括第一封装体、第二封装体、第三封装体,所述肖特基芯片固定在所述第一封装体内侧,所述肖特基芯片、第一封装体上端覆盖有第一ITO导电膜,所述第一ITO导电膜一端延伸至所述第一封装体右侧,所述阳极引脚一端与所述第一ITO导电膜相抵触并且固定在所述第一封装体右侧,所述肖特基芯片、第一封装体下端覆盖有第二ITO导电膜,所述第二ITO导电膜一端延伸至所述第一封装体左侧,所述阴极引脚一端与所述第二ITO导电膜相抵触并且固定在所述第一封装体右侧。本发明的肖特基二极管,具有低损耗、小体积、快速散热的特点。
公开/授权文献
- CN114497234B 一种低损耗小体积的肖特基二极管 公开/授权日:2022-12-06
IPC分类: