发明授权
- 专利标题: 一种真空配管连接结构及方法
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申请号: CN202011296350.9申请日: 2020-11-18
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公开(公告)号: CN114517863B公开(公告)日: 2024-05-03
- 发明人: 金大镇 , 李俊杰 , 李琳 , 杨涛 , 李俊峰 , 王文武
- 申请人: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号;
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号;
- 代理机构: 北京天达知识产权代理事务所有限公司
- 代理商 丛洪杰
- 主分类号: F16L23/04
- IPC分类号: F16L23/04 ; F16L23/18 ; F16L23/00
摘要:
本发明提供了一种真空配管连接结构及方法,涉及蚀刻设备制造技术领域,用于解决当前真空配管连接结构拧紧时费时费力,所述真空配管连接结构包括:第一法兰盘,第二法兰盘和管夹;所述第一法兰盘和所述第二法兰盘分别设置在需要连接的真空配管的连接端,且所述第一法兰盘和所述第二法兰盘尺寸相同;所述管夹一侧与所述第一法兰盘旋转锁定,另一侧与所述第二法兰盘旋转锁定;所述管夹中设置有密封圈,对接的真空配管分别位于所述密封圈两侧,安装到位后,密封圈实现对连接真空配管的密封对接。本发明实施例提供的技术方案能够提高配管的组装效率。
公开/授权文献
- CN114517863A 一种真空配管连接结构及方法 公开/授权日:2022-05-20
IPC分类: