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公开(公告)号：CN115122230B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110266654.9
申请日：2021-03-11
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供一种抛光头、抛光装置和抛光方法，其中，抛光头包括：活动杆和压盘；所述活动杆与所述压盘固定连接，所述压盘用于将晶圆装载在所述压盘远离活动杆的一侧；所述压盘的内部设置有振动监测传感器，所述振动监测传感器用于监测晶圆在抛光过程中的振动情况，以获得振动信号；抛光头用于根据所述振动信号，调整对晶圆施加的压力大小。本发明能够精准的控制抛光头对晶圆施加压力的大小。
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公开(公告)号：CN113517219B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010276306.5
申请日：2020-04-09
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
摘要： 本公开公开了一种金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法，包括：提供一基底，所述基底一侧表面上具有金属层；对所述金属层进行刻蚀；以及在所述金属表面形成氧化膜。本公开中，在金属刻蚀后，在金属表面形成的氧化膜可以阻断大气中的水蒸气与金属表面及其内部残留的氯成分反应，防止金属刻蚀后金属腐蚀的发生。
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公开(公告)号：CN114355731B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202011090371.5
申请日：2020-10-13
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本公开提供一种晶圆边缘曝光系统及方法。该曝光系统包括：升降平台，可沿其中心轴垂直升降，其上表面用于放置晶圆，晶圆包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；曝光镜头，其曝光时可在焦平面产生环形光，该环形光的曝光区域与晶圆的边缘区域对齐；其中，晶圆的上表面涂覆有光刻胶，当曝光镜头进行曝光时，升降平台将晶圆的上表面送至曝光镜头的焦平面，对晶圆的边缘区域的光刻胶进行一次性曝光。本公开去除了马达结构，整个曝光系统非常简单，可以减少成本；对晶圆采用上下运动的方式代替了旋转方式，速度非常快，节省了工艺时间；采用一次性曝光方式，比起旋转方式的WEE，工艺时间非常短，提升了生产效率。
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公开(公告)号：CN114659456B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011547992.1
申请日：2020-12-23
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种软刷辊轴间距检测装置、调整系统及方法，属于半导体制造工艺技术领域，解决了现有技术中对辊轴软刷距离的调整需要通过人工完成，耗费人工，人均生产效率低；软刷辊轴间距调整不及时造成刷洗效果降低，颗粒残留；个人操作不当带来软刷辊轴间距调整不准确，软刷辊对晶圆受力异常而导致晶圆弯曲变形和破损的问题。本发明的软刷辊轴间距检测装置，包括：探测器，所述探测器与晶圆中心的连线位于晶圆径向上，探测器与晶圆中心的连线与一对软刷辊轴所在的平面的夹角为60‑90度；所述探测器对软刷辊轴间距进行测量。实现了半导体生产工艺中刷洗模块的软刷滚轴间距的自调整。
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公开(公告)号：CN114517863B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202011296350.9
申请日：2020-11-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种真空配管连接结构及方法，涉及蚀刻设备制造技术领域，用于解决当前真空配管连接结构拧紧时费时费力，所述真空配管连接结构包括：第一法兰盘，第二法兰盘和管夹；所述第一法兰盘和所述第二法兰盘分别设置在需要连接的真空配管的连接端，且所述第一法兰盘和所述第二法兰盘尺寸相同；所述管夹一侧与所述第一法兰盘旋转锁定，另一侧与所述第二法兰盘旋转锁定；所述管夹中设置有密封圈，对接的真空配管分别位于所述密封圈两侧，安装到位后，密封圈实现对连接真空配管的密封对接。本发明实施例提供的技术方案能够提高配管的组装效率。
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公开(公告)号：CN114192440B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010986949.9
申请日：2020-09-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请公开了一种不合格晶圆的检出装置及检出方法、晶圆制造设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中晶圆检测量大、时间长、工艺和装置复杂的问题。上述检出装置包括光源、光电传感器和控制器，光源和光电传感器位于待检晶圆的同侧。上述检测方法为打开光源；光源发出的光线经过待检晶圆表面反射后射入光电传感器，光电传感器将反射光信号转化为电模拟信号；控制器接收光电传感器发送的电模拟信号并转换为电数据；将电数据与电参考数据进行比较，电数据在电参考数据范围内，则判断待检晶圆合格，电数据不在电参考数据范围内，则判断待检晶圆不合格。本申请的检出装置及检出方法、晶圆制造设备可用于不合格晶圆的检出。
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公开(公告)号：CN113496908B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010270702.7
申请日：2020-04-08
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本公开提供了一种半导体器件的检测方法、半导体器件及电子设备，包括如下步骤：提供一个半导体器件组；根据检查规则检测所述半导体器件组，使得所述半导体器件组中的各个半导体器件的检测步骤数量均一化。其中各个检测步骤组中的某两个或者多个检测步骤，不会都测量同一个半导体器件组中的同一个半导体器件。这种情况下，检测步骤组中的其他检测步骤则被省略。对于每个检测步骤，根据该检测步骤的预设检查概率，当该检测步骤被连续两个以上的半导体器件排除时，在下一个半导体器件执行该检测步骤。本公开的优点在于，使每个半导体器件组的测量次数均一化；使每个半导体器件组的整体工艺时间均一化。
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公开(公告)号：CN117558706A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210946601.6
申请日：2022-08-05
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/764 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中电容器金属配线之间的寄生电容大的问题。包括衬底；间隔形成在衬底的上方的至少两条导电配线；每条导电配线包括上配线段，同一上配线段的底端与顶端的面积不同；上介质层，上介质层覆盖衬底上方以及每条上配线段的表面，位于衬底上方的上介质层与相邻两条导电配线上的上介质层围成密闭气隙。半导体器件的制作方法包括上述技术方案所提的半导体器件。本发明提供的半导体器件用于降低电容器金属配线之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN117558679A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210941558.4
申请日：2022-08-05
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/04
摘要： 本发明公开一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中线宽较小的金属线易变形的问题。该制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上间隔形成至少两条金属线；在所述金属线的表面以及未被所述金属线覆盖的所述衬底的表面通过低温沉积工艺形成第一保护层；在位于所述第一保护层的上方形成连续的第二保护层，获得形成于相邻两条所述金属线之间的密闭间隙。半导体器件包括上述技术方案所提的半导体器件制作方法制作的半导体器件。本发明提供的半导体器件用于降低金属线的变形，以提高半导体器件的运行速度和信号传输稳定性。
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公开(公告)号：CN113540348B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202010291690.6
申请日：2020-04-14
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请涉及一种电容器结构及半导体器件，包括半导体基底；位于半导体基底上的多个电容器，所述电容器包括下电极、介电层和上电极；所述下电极具有侧壁、封闭的底部和开放的顶部，所述介电层包括位于所述下电极侧壁和底壁上的第一介电层，所述上电极包括位于所述第一介电层内侧的第一上电极，所述下电极、第一介电层和第一上电极构成第一电容；位于所述下电极顶部和所述第一介电层顶部之上的支撑物。本申请中的制造方法得到的圆筒形电容器及半导体器件，能够在保证深宽比的同时，有效改善制造方法中发生的下电极的倾斜和塌陷的问题。
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