Invention Grant
- Patent Title: 一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法
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Application No.: CN202210133064.3Application Date: 2022-02-14
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Publication No.: CN114528794BPublication Date: 2024-05-07
- Inventor: 张小红 , 杨港 , 马存良
- Applicant: 江西理工大学
- Applicant Address: 江西省赣州市红旗大道86号
- Assignee: 江西理工大学
- Current Assignee: 江西理工大学
- Current Assignee Address: 江西省赣州市红旗大道86号
- Agency: 南昌朗科知识产权代理事务所
- Agent 郭毅力; 郭显文
- Main IPC: G06F30/331
- IPC: G06F30/331 ; G06F111/10 ; G06F111/12

Abstract:
一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法,由磁控忆阻器、荷控忆阻器构建的五维整数阶混合型忆阻电路,其中磁控忆阻器模型含有平方根算法和绝对值算法,荷控忆阻器是一种新颖的广义忆阻器模型。本发明根据分数阶微积分Grunwald‑Letnikov定义,从整数阶电路模型推导出分数阶混合型忆阻混沌电路模型,采用0‑1测试、SALI检测、Lyapunov指数以及复杂度方法验证了该分数阶电路具有复杂的非线性动力学行为;结合FPGA技术,设计了同阶次和不同阶次的分数阶混合型忆阻混沌模型,硬件仿真与数值计算结果一致,在复杂动力学和数字电路领域具有着广泛的应用潜力。
Public/Granted literature
- CN114528794A 一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法 Public/Granted day:2022-05-24
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