一种半导体装置包括：衬底上的有源图案；埋置在有源图案的上部的栅极结构；有源图案上的位线结构；位线结构的侧壁上的间隔件结构；接触间隔件结构的接触插塞结构；绝缘中间层结构，其部分地穿过所述接触插塞结构、所述间隔件结构和所述位线结构的上部；以及所述接触插塞结构上的电容器。所述间隔件结构包括具有空气的空气间隔件。所述绝缘中间层结构包括第一绝缘中间层以及第二绝缘中间层。所述第二绝缘中间层可包括与所述第一绝缘中间层的材料不同的绝缘材料。所述第二绝缘中间层的下表面覆盖所述空气间隔件的顶部，并且所述第一绝缘中间层的最下表面被所述第二绝缘中间层覆盖。