提供了一种基于氮化物的半导体集成电路(IC)芯片。所述IC芯片包括：衬底；晶体管内隔离区，其形成在所述衬底的表面中，用于分别限定集成在所述IC芯片中的晶体管的功率域；外延体层，其安置在所述衬底和所述晶体管内隔离区上面；第一和第二基于氮化物的层，其安置在所述外延体层上方。所述外延体层和所述衬底由相同材料形成，并且一个或多个晶体管内隔离区中的每一个被植入以具有与所述衬底的掺杂极性相反的掺杂极性。通过在所述隔离区上面实施所述外延体层，可消除所述隔离区的植入对在所述基于氮化物的半导体层之间形成的异质结的形成的影响，因此可保证所述异质结界面的质量。