公开(公告)号：CN118969833A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411042765.1

申请日：2024-07-31

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张濛 ,  邹旭 ,  杨凌 ,  马晓华 ,  侯斌 ,  武玫 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/45 ,  H01L29/423 ,  H01L27/085 ,  H01L23/52

摘要： 本发明公开了一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件及其制备方法，器件包括：半导体基底以及制备于半导体基底上的欧姆金属、栅金属和多个部分的互连金属；欧姆金属包括依次排列的多个重构区域，其中相邻的重构区域之间设有栅槽；栅金属包括第一栅条、第二栅条和第三栅条；第一栅条和第二栅条分别位于两个目标重构区域内侧的栅槽处，且通过第一部分的互连金属实现互连；第三栅条穿插设置于各非目标重构区域间的栅槽处并一体连接；各非目标重构区域分为两组，其中相邻的非目标重构区域位于不同的组，两组非目标重构区域分别通过第二部分和第三部分的互连金属实现同组互连。本发明提高了开关器件在高频下的隔离度性能。

公开(公告)号：CN118825014A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411280875.1

申请日：2024-09-13

申请人： 无锡博通微电子技术有限公司

发明人： 冯开勇 ,  王刚 ,  杨光

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L23/482 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种半桥GaN增强型开关器件及其制备方法。该半桥GaN增强型开关器件包括半桥连接的两个开关元件；两个开关元件水平设置在同一衬底上，其中一开关元件的漏极与栅极分别单独电性引出，源极与另一开关元件的漏极连接并共同电性引出，另一开关元件的栅极和源极分别单独电性引出。该半桥GaN增强型开关器件导电机制为二维电子气，由栅极控制二维电子气的导通和关断，所以器件的栅电荷非常小，能保证器件的高速开关，器件整体呈现半桥连接特性，保证应用灵活性的同时，由于器件制备在同一衬底上，具备高集成度的特点，可以提高系统功率密度。

公开(公告)号：CN118782606A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410006111.7

申请日：2024-01-03

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 菊池宪

IPC分类号： H01L27/085 ,  H03F3/193 ,  H03F3/21 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/40

摘要： 放大电路具备半导体层、第一FET以及第二FET，第一FET具备：第一源电极，高频连接于第一基准电位；第一栅电极，供高频信号输入；第一漏电极；以及第一场板，至少一部分设于第一栅电极与第一漏电极之间的半导体层的上方，第二FET具备：第二源电极，电连接于第一漏电极；第二栅电极，高频连接于第二基准电位；第二漏电极，供高频信号输出；以及第二场板，至少一部分设于第二栅电极与第二漏电极之间的半导体层的上方，第一栅电极的与半导体层对置的面中靠近第一漏电极的端部与第一场板的靠近第一漏电极的端部的第一距离，比第二栅电极的与半导体层对置的面中靠近第二漏电极的端部与第二场板的靠近第二漏电极的端部的第二距离短。

公开(公告)号：CN118507460A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410422818.6

申请日：2024-04-09

申请人： 北京大学

发明人： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黄如

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/48 ,  H01L27/02 ,  H01L27/085

摘要： 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，解决了目前堆叠晶体管中漏极互连结构占用版图面积并会产生较大电阻的技术问题。该半导体器件包括第一晶体管、第二晶体管、绝缘层、漏极导电结构；其中，第一晶体管和第二晶体管位于绝缘层的两侧，第一晶体管和第二晶体管在第一方向上自对准，第一方向垂直于绝缘层；漏极导电结构贯穿绝缘层，并连接第一晶体管的漏极外延结构和第二晶体管的漏极外延结构。本申请提供的半导体器件具有漏极导电结构，漏极导电结构不会占用半导体器件的版图面积，并且缩短了漏极互连路径，减小了漏极互联电阻。

公开(公告)号：CN118352355A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410512865.X

申请日：2024-04-26

申请人： 浤湃半导体(苏州)有限公司

发明人： 杨玉美

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/40

摘要： 本发明涉及一种基于GaN的HEMT单元芯片及其制备方法和集成芯片。单元芯片包括衬底、PV层、两个基于GaN的晶体管结构单元、三个内部连接电极、一个外部连接电极和多个场板，两个晶体管结构单元对称排布，两个晶体管结构单元的栅极/源极/漏极通过G端/S端/D端内部连接电极相连接，场板至少包括连接外部连接电极与G端内部连接电极的G端场板、与S端内部连接电极相连接的S端场板。制备方法包括制作芯片A面单元和芯片B面单元、键合和制作接线盘等步骤。集成芯片则包括串联、并联或串并混联的多个前述单元芯片。本发明充分利用GaN材料的高频特性，在耐压和电流两方面可以克服原有性质的限制，性能优异，成本和损耗低。

公开(公告)号：CN118263248A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410197993.X

申请日：2024-02-21

申请人： 深圳大学

发明人： 刘新科 ,  杨永凯 ,  黄烨莹 ,  蒋忠伟 ,  黎晓华

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8252

摘要： 本发明提供了一种立体氮化镓基高集成HEMT及其制备方法，通过在立体衬底上集成多个HEMT器件，并通过互联介质层内的互联金属实现各器件之间的互联，制备出了高集成的氮化镓基HEMT器件，是HEMT具有更高的功率以及更低的功耗。相关技术中通常在平面衬底的单面上制备HEMT器件，相比于平面的衬底，立体衬底有利于HEMT更好地散热，确保了HEMT器件在高功率、高频率的前提下具有优异的散热功能，提升了HEMT在高温环境下的可靠性，提高了器件的性能和工作寿命。

公开(公告)号：CN114038909B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202111235786.1

申请日：2021-10-22

申请人： 北京大学深圳研究生院

发明人： 刘美华 ,  金玉丰

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L27/085 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

摘要： 本发明公开了增强型氮化镓功率器件及其制备方法，该增强型氮化镓功率器件包括衬底、缓冲层、势垒层，势垒层包括设于缓冲层上相互隔离的第一子势垒层和第二子势垒层；第一源极、第一漏极和第一栅极，第二源极、第二漏极和第二栅极，从而形成高压耗尽型GaN HEMT和低压增强型GaN HEMT并级联形成cascode结构。以低压增强型GaN凹栅HEMT代替Si MOSFET，从而可以在器件上同时实现HV GaN MIS‑HEMT和LV GaN MIS‑FET，采用D‑mode高压GaN MIS‑HEMT保持漏端高压，E‑mode低压GaN FET驱动栅端，降低了寄生效应，提高了性能和稳定性。

公开(公告)号：CN117747614A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202410042394.0

申请日：2024-01-11

申请人： 苏州科技大学

发明人： 孙云飞 ,  陈丽香 ,  孙佳惟 ,  阙妙玲

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其为一种GaNHEMT环形振荡器及其制作方法，其方法包括如下步骤：提前准备好GaN基片、金属电极材料和绝缘层材料，并将GaN基片进行清洗和平整度处理；选择金属有机分解物，将金属有机分解物注入反应炉中，让反应炉的温度保持在800℃到1100℃之间，气体流量在60到400立方厘米每分钟，再加入金属电极材料。本发明具备突破Si基材料限制的优点，GaNHEMT环形振荡器利用氮化镓材料研发的振荡器技术，具有卓越的高频性能和功率特性，相比于传统的硅基器件，GaNHEMT环形振荡器能够实现更高的频率范围、更高的功率增益和更高的效率；通过采用GaNHEMT环形振荡器，可以克服硅材料在高频和高功率应用中所面临的物理极限。

公开(公告)号：CN117637817A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311696494.7

申请日：2023-12-11

申请人： 上海大学

发明人： 张建华 ,  宋世平 ,  任开琳 ,  殷录桥 ,  陆文庆

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L27/085 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种单片集成半桥电路结构及其制备方法，涉及单片集成半桥电路技术领域。方法包括：钝化层和设置有沟槽的基体；钝化层设置于基体的上表面；且沟槽内填充有钝化层；基体包括自下而上依次设置的衬底电极、第一P+衬底层、N‑衬底层、第二P+衬底层、缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；第一P+衬底层和N‑衬底层形成第一PN结；N‑衬底层和第二P+衬底层形成第二PN结；沟槽贯穿于AlGaN势垒层、GaN沟道层、缓冲层和第二P+衬底层，且沟槽的底部位于N‑衬底层的内部。本发明通过设置第一P+衬底层、N‑衬底层、第二P+衬底层和沟槽形成双PN结衬底能够降低对衬底电位的依赖性，完成高边管和低边管的隔离。

公开(公告)号：CN117096187A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311284631.6

申请日：2023-10-07

申请人： 华南师范大学

发明人： 尹以安 ,  王进懿 ,  王天恺 ,  孙巧 ,  赵春晓

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335 ,  H01L27/085

摘要： 本发明提供了一种电容可调控的双场板凸形势垒层CascodeHEMT器件及其制备方法，包括集成于一衬底上的增强型HEMT和耗尽型HEMT，层叠的GaN外延层、倒凸形势垒层，依次间隔、同层设置的第一电极、AlGaN帽层、第二电极、第二栅极和第三电极，AlGaN帽层上设置有第一栅极，第一电极、AlGaN帽层、第二电极、第二栅极和第三电极之间设置有钝化层；倒凸形势垒层由延伸至GaN外延层中的AlGaN埋层区域和AlGaN势垒层组成；第一栅极侧邻接设置有第一级场板，间隔设置有第二级场板，第一级场板位于AlGaN埋层区域的正上方；形成了高开关速度、耐压分布可调控的Cascode HEMT器件。