本发明属于半导体器件单粒子效应仿真领域，尤其涉及一种模拟粒子入射下纳米器件单粒子瞬态响应的方法。克服基于传统数值仿真模拟不能准确得到纳米器件对不同粒子的单粒子瞬态响应的难题。本发明利用Geant4仿真计算出的电荷密度分布作为重离子参数导入到纳米器件模型中进行器件单粒子效应仿真，得到入射粒子在器件中产生的单粒子瞬态响应。相比与传统TCAD仿真中只能比较LET值对器件单粒子瞬态的影响，本发明可以直接比较能量和粒子种类变化对器件单粒子瞬态的影响。同时本方法通过仿真发现，对于纳米器件，不同粒子在LET值相同，由于其径向分布不同，其单粒子瞬态响应差别较大。所以利用本方法可以更加准确的评估器件在不同辐射环境下的辐射效应。