本发明的半导体故障解析装置(1)具备：测试器(2)，其对半导体器件(100)施加刺激信号；光源(3)，其产生照射于半导体器件(100)的照射光(L1)；固体浸没式透镜(4)，其配置于照射光(L1)的光路上；光检测部(5)，其接受反射光(L2)，并且输出对应于反射光(L2)的检测信号；光学系统(6)，其配置于光源(3)与固体浸没式透镜(4)之间，经由固体浸没式透镜(4)对半导体器件(100)出射照射光(L1)，且配置于固体浸没式透镜(4)与光学检测部(5)之间，将经由固体浸没式透镜(4)而接受的反射光(L2)出射至光检测部(5)；及计算机(7)，其利用检测信号获得与半导体器件(100)的故障部位相关的信息。光源(3)出射中心波长为880nm以上且980nm以下的照射光(L1)。固体浸没式透镜(4)由GaAs形成。