半导体器件及其制备方法

发明公开

CN114628333A 半导体器件及其制备方法审中-实审

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专利标题： 半导体器件及其制备方法
申请号： CN202011443548.5

申请日： 2020-12-11
公开(公告)号： CN114628333A

公开(公告)日： 2022-06-14
发明人: 安重镒 , 李相遇 , 金成基 , 李亭亭 , 项金娟 , 蒋浩杰 , 罗英 , 丁云凌
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号;
专利权人： 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
当前专利权人： 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号;
代理机构： 北京辰权知识产权代理有限公司
代理商 金铭
主分类号： H01L21/8242
IPC分类号： H01L21/8242 ; H01L27/108

半导体器件及其制备方法

摘要：

一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成多个栅极结构，所述栅极结构含有金属材料；将形成有栅极结构的半导体器件置于腔室中，升高腔室内的温度至一预设温度，向腔室中通入反应气体，所述反应气体为氮气，并保持预设时间以完成合金化处理。在合金化处理过程中采用惰性气体，避免活跃气体的使用导致的部分气体渗透到其他膜层使得电容器漏电，从而提高半导体器件的性能。

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构
H01L21/8242	.........动态随机存取存储结构（DRAM）