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公开(公告)号：CN114737255B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202110019365.9
申请日：2021-01-07
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法，在所述扩散炉连续对不同半导体器件进行氮化处理的过程中，在所述扩散炉内没有半导体器件的时间段内，进行以下步骤：升温过程：升高所述扩散炉内的温度至第一预设温度，所述第一预设温度高于氮化处理过程的最高温度；通入气体过程：在第一预设时间内向所述扩散炉内通入清除气体；在第二预设时间内向所述扩散炉内通入吹扫气体；降温过程：降低所述扩散炉内的温度至第二预设温度，所述第二预设温度低于氮化处理过程的最高温度。本发明有效去除石英表面附着的粉末或颗粒状的残留物，消除残留物掉落在晶片表面的现象，延长PM周期。
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公开(公告)号：CN114737255A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110019365.9
申请日：2021-01-07
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法，在所述扩散炉连续对不同半导体器件进行氮化处理的过程中，在所述扩散炉内没有半导体器件的时间段内，进行以下步骤：升温过程：升高所述扩散炉内的温度至第一预设温度，所述第一预设温度高于氮化处理过程的最高温度；通入气体过程：在第一预设时间内向所述扩散炉内通入清除气体；在第二预设时间内向所述扩散炉内通入吹扫气体；降温过程：降低所述扩散炉内的温度至第二预设温度，所述第二预设温度低于氮化处理过程的最高温度。本发明有效去除石英表面附着的粉末或颗粒状的残留物，消除残留物掉落在晶片表面的现象，延长PM周期。
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公开(公告)号：CN114672789A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011558184.5
申请日：2020-12-25
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/46
摘要： 本发明公开了一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法，包括：载台本体、顶针本体以及加热装置；加热装置设置在顶针本体中；载台本体设置有通孔，顶针本体穿过通孔；顶针本体用于承接晶圆并将晶圆放置在载台本体的上表面，其中，加热装置对顶针本体加热，顶针本体与载台本体共同向晶圆传热。本申请通过在顶针本体中加设加热装置，使得加热装置对顶针本体进行加热，顶针本体和载台本体共同对晶圆传热，顶针本体可以减少通孔中损失的热量，或者弥补通孔中损失的热量，进而减轻晶圆在载台本体上受热不均的程度，或避免晶圆在载台本体上出现受热不均的现象，进而可以加快晶圆上表面薄膜的形成速度，增加薄膜的厚度，提高晶圆表面成膜的效率。
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公开(公告)号：CN114628333A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011443548.5
申请日：2020-12-11
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
摘要： 一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成多个栅极结构，所述栅极结构含有金属材料；将形成有栅极结构的半导体器件置于腔室中，升高腔室内的温度至一预设温度，向腔室中通入反应气体，所述反应气体为氮气，并保持预设时间以完成合金化处理。在合金化处理过程中采用惰性气体，避免活跃气体的使用导致的部分气体渗透到其他膜层使得电容器漏电，从而提高半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN114628274A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011440008.1
申请日：2020-12-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法，该半导体制造设备包括反应腔室、载台和喷头组件，载台设置在反应腔室中，载台用于承载晶圆；喷头组件也设置在反应腔室中，且喷头组件设置在载台的上方，喷头组件包括第一喷头和第二喷头，第二喷头环设在第一喷头的外围，第一喷头用于喷洒反应气体，第二喷头用于在晶圆卸载过程中对晶圆进行吹扫。本发明公开的半导体制造设备中，第二喷头在晶圆的卸载过程中吹扫晶圆的表面，从而能够减少或去除污染物颗粒，避免污染物颗粒影响产品良率以及避免污染物颗粒对设备造成交叉污染。
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公开(公告)号：CN114613691A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011412238.7
申请日：2020-12-04
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种冷却结构，包括：底座；底板，嵌入在底座上方；顶板，设置在底板的上方，并与底板之间形成冷却腔；顶板的下表面为冷却腔的顶部，顶板的上表面设置为容纳槽，容纳槽用于放置晶圆。本发明通过将冷却结构设置为底板和顶板两部分结构，并且在顶板和底板之间形成冷却腔，以使冷却液在其中可进行循环，实现快速的对晶圆的冷却。然后，在顶板上设置的容纳槽可直接的放置晶圆，使得晶圆能够与顶板直接接触；在冷却腔内的冷却液循环过程中，具有更好的冷却效果，缩短了冷却的时间，避免工艺过程中产生停滞。
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公开(公告)号：CN114609873A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011424663.8
申请日：2020-12-09
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体加工设备，半导体加工设备包括：加工室，加工室内设置有对半导体进行加工的加工装置；排气管，排气管与加工室连通，用于排放加工室内产生的烟雾；有机溶剂喷雾器，有机溶剂喷雾器的喷雾管伸至排气管内，用于向排气管内喷洒有机溶剂，通过有机溶剂去除排气管内附着的粉尘颗粒。根据本申请的半导体加工设备，通过有机溶剂喷雾器去除排气管内附着的粉尘颗粒，尤其可以去除排气管内附着的光刻胶颗粒，以此减少排气管出现堵塞现象。
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公开(公告)号：CN114551326A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011344657.1
申请日：2020-11-26
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本发明公开一种晶圆承托装置、半导体工艺腔室及晶圆处理方法，应用于半导体领域，包括：晶圆托架，所述晶圆托架包括用于承托并加热晶圆的加热托盘；多个升降机构，每个升降机构相对于加热托盘可升降的设置，针对每个升降机构对应设置有单独的驱动电机和单独的位置传感器；控制器，控制器的信号输出端与每个驱动电机的控制信号输入端连接，控制器的信号输入端与每个位置传感器连接，控制器根据每个位置传感器的传感数据分别控制对应的驱动电机，以驱动与驱动电机对应的升降机构进行升降。本发明再不需要进行手工调节，缩短了操作时间，且调节更加准确。
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公开(公告)号：CN114517292A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011299798.6
申请日：2020-11-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： C23C16/458
摘要： 本发明实施例公开了一种晶圆托盘结构及设备，其中晶圆托盘结构包括：托盘底和环状结构，盘壁为环状结构，环状结构设置在托盘底的边缘，可对晶圆进行限位；其中，环状结构上环绕设置有弧形凸起；当晶圆放置在托盘底时，弧形凸起的高度大于或等于晶圆的边缘高度，可在CVD工艺过程中防止晶圆边部的离子反射，有效的降低了离子浓度，保证了晶圆边缘部分和中心部分的离子浓度均匀性。
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公开(公告)号：CN114695164A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011619095.7
申请日：2020-12-31
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供一种晶圆寻边设备及寻边方法，包括：承载托盘放置在承载台上，承载托盘上设置有多个喷吹孔；承载台的内部设置有吹扫管道，吹扫管道用于喷发吹扫气体；吹扫管道包括边缘吹扫管道及中部吹扫管道，边缘吹扫管道与承载台的承载面之间具有预设的夹角；吹扫气体从夹角对应的管道中吹出作用于晶圆底面，使晶圆在承载托盘上方悬浮并旋转；如此，当需要对晶圆进行寻边时，吹扫气体使晶圆悬浮在承载托盘上方并旋转，在寻边过程中，晶圆是悬浮在承载托盘上方的，晶圆背面并没有和承载托盘直接接触，即使有某个晶圆背面被污染，也不会将污染物传递至托盘进而污染其他晶圆，避免处理腔室被污染，从而避免诱发晶圆出现颗粒，确保晶圆良率。
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