发明公开
- 专利标题： 一种反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列及其制备方法
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申请号： CN202210183425.5申请日： 2022-02-28
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公开(公告)号： CN114635112A公开(公告)日： 2022-06-17
- 发明人: 康晓洋 , 王爱萍 , 张静 , 刘鲁生 , 王君孔帅
- 申请人： 复旦大学
- 申请人地址： 上海市杨浦区邯郸路220号
- 专利权人： 复旦大学
- 当前专利权人： 复旦大学
- 当前专利权人地址： 上海市杨浦区邯郸路220号
- 代理机构： 上海正旦专利代理有限公司
- 代理商 王洁平
- 主分类号： C23C14/35
- IPC分类号： C23C14/35 ; C23C14/04 ; C23C14/08 ; A61B5/263 ; A61B5/294 ; A61B5/293
摘要：
本发明公开了一种反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列及其制备方法。其包括：在神经电极阵列表面利用反应溅射的方法来制备特定钌、氧原子比例的氧化钌。其中所述的氧化钌是利用特定流量的氩气、氧气以及特定的气压来反应溅射制备的。所述的方法与工艺参数能够确定氧化钌附着力强度较好的反应溅射条件，并且可以获得较好的电化学性质。经过该反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列能够获得更好的电生理信号采集与电刺激效果。
公开/授权文献
- CN114635112B 一种反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列及其制备方法 公开/授权日：2023-11-24
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