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公开(公告)号：CN113851253B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202110981747.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像兼容的导电浆料复合物及其制备方法。磁共振成像兼容的导电浆料复合物为银和钨的纳米颗粒以及合成树脂或有机硅化合物的复合物，其中所述的磁共振成像兼容是指，将该材料加工制备的电子器械植入生物组织后，不会造成磁共振成像中的图像伪影及缺失，即使植入材料在磁共振成像区域内。本发明形成的导电浆料复合物，在提高磁共振兼容性的同时，能保持良好的导电性能和生物相容性，可以通过丝网印刷或点胶等方法放置到所需部位，并且可以根据合成树脂或有机硅化合物材料性质进行固化，以便实现应用该导电浆料复合物的医疗电子器械在植入后不干扰相关的磁共振成像检测诊断。
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公开(公告)号：CN114635112B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210183425.5
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列及其制备方法。其包括：在神经电极阵列表面利用反应溅射的方法来制备特定钌、氧原子比例的氧化钌。其中所述的氧化钌是利用特定流量的氩气、氧气以及特定的气压来反应溅射制备的。所述的方法与工艺参数能够确定氧化钌附着力强度较好的反应溅射条件，并且可以获得较好的电化学性质。经过该反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列能够获得更好的电生理信号采集与电刺激效果。
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公开(公告)号：CN114587367A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210183550.6
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种缩放拓扑结构的神经电极阵列及其制备方法，其中所述的拓扑结构是将不同尺寸的电极点，按照特定的结构排列形成拓扑阵列。不同尺寸的电极点能够获取不同范围内神经元的神经电活动，通过不同尺寸的电极点形成拓扑阵列就能获得对应拓扑结构神经元的神经活动，直接用于神经网络的研究。同时，同尺寸的电极点能够对不同范围内神经元进行电刺激，通过不同尺寸的电极点形成拓扑阵列就能对相应拓扑结构神经元进行电刺激，也可以直接用于神经网络的干预与研究。本发明所述的缩放拓扑结构的神经电极阵列，能够研究多个神经元互联协同工作的情况，为提取神经信号或刺激神经元提供新工具。
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公开(公告)号：CN114635112A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210183425.5
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列及其制备方法。其包括：在神经电极阵列表面利用反应溅射的方法来制备特定钌、氧原子比例的氧化钌。其中所述的氧化钌是利用特定流量的氩气、氧气以及特定的气压来反应溅射制备的。所述的方法与工艺参数能够确定氧化钌附着力强度较好的反应溅射条件，并且可以获得较好的电化学性质。经过该反应溅射氧化钌修饰的神经电极阵列能够获得更好的电生理信号采集与电刺激效果。
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公开(公告)号：CN114634152A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210183512.0
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种具有跨尺寸电极点的神经电极阵列及其设计方法，本发明设计方法利用多通道的连接器设计多个相同的电极阵列，每个电极阵列包含有多个不同尺寸的电极。所述制备方法采用了微纳加工中的光刻，刻蚀工艺；本发明在刻蚀工艺步骤时，将跨尺寸的范围作了划分，分别采用不同工艺参数进行刻蚀。本发明保证了电极点的刻蚀精度，防止过度刻蚀或没有完全刻蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114633032A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210183476.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明公开了一种高密度变截面硅探针结构及其制备方法；其包括：利用硅片基底制作探针，使用激光切割探针阵列。本发明利用特定的激光能量、移动距离、加工次数、标刻速度和图层次数来激光切割硅片，确定了能在短时间高质量切割不同截面高度、不同间距硅探针的参数，并且所得到的探针边缘完整，崩边的损坏小。
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公开(公告)号：CN114613928A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210183564.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种基于印刷电子技术的OLED光神经接口及其制备方法，包括：沉积parylene、磁控溅射ITO，刮涂空穴传输层、功能层、电子传输层、缓冲层，使用喷墨打印技术制备银线路、沉积parylene封装、暴露接口等，制备获得柔性OLED光神经接口器件。本发明将印刷电子技术应用于光神经接口器件的制备，有助于高效制备柔性光神经接口器件。
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公开(公告)号：CN114613885A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210183548.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种光神经接口微型LED阵列的制备方法。该制备方法包括以下步骤：（1）在基底上沉积parylene层；（2）利用喷墨打印设备在parylene层上打印银布线层，打印结束后，在真空环境下进行后处理；（3）将粘结剂涂在银布线层上LED的连接位点，使用贴片机将微型LED黏附在银布线层上；（4）使用固化硅胶封装，形成器件。本发明利用喷墨打印技术替代微电子技术制备线路，提高了制备微型LED阵列的效率，有助于高效制备柔性光电器件。
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公开(公告)号：CN113851253A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110981747.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像兼容的导电浆料复合物及其制备方法。磁共振成像兼容的导电浆料复合物为银和钨的纳米颗粒以及合成树脂或有机硅化合物的复合物，其中所述的磁共振成像兼容是指，将该材料加工制备的电子器械植入生物组织后，不会造成磁共振成像中的图像伪影及缺失，即使植入材料在磁共振成像区域内。本发明形成的导电浆料复合物，在提高磁共振兼容性的同时，能保持良好的导电性能和生物相容性，可以通过丝网印刷或点胶等方法放置到所需部位，并且可以根据合成树脂或有机硅化合物材料性质进行固化，以便实现应用该导电浆料复合物的医疗电子器械在植入后不干扰相关的磁共振成像检测诊断。
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公开(公告)号：CN113827781A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110984314.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像兼容的导电薄膜合金材料及其制备方法。本发明的导电薄膜合金材料是面向植入式医疗器械、神经接口或脑机接口应用，以一种顺磁性物质和一种抗磁性物质为共溅射材料，通过磁控共溅射镀膜的微纳加工技术制备得到的薄膜合金材料。本发明利用磁控共溅射镀膜的方法，分别优化设定了顺磁性物质‑抗磁性物质的溅射电流强度、功率等参数以及特定的成膜气压来制备合金材料。从而确定了可应用于植入器械的导电薄膜合金材料的磁控溅射制备条件，使其具有较好的导电与电化学性质，并且在磁共振成像中不会造成影响观测植入部位的成像伪影，具有良好的磁共振成像兼容性。
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