发明公开
- 专利标题： 包括铁电层的半导体器件及其制造方法
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申请号： CN202110823533.X申请日： 2021-07-21
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公开(公告)号： CN114639685A公开(公告)日： 2022-06-17
- 发明人: 李在吉 , 徐东益 , 李世昊
- 申请人： 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京弘权知识产权代理有限公司
- 代理商 许伟群; 王翠华
- 优先权： 10-2020-0175878 20201215 KR
- 主分类号： H01L27/1159
- IPC分类号： H01L27/1159
摘要：
本公开提供了一种包括铁电层的半导体器件及其制造方法。根据实施例的半导体器件包括：衬底；位线结构和源极线结构，分别在垂直于衬底表面的方向上延伸；半导体层，其设置在平行于衬底表面的平面上在位线结构与源极线结构之间；第一铁电层，其设置在半导体层的第一表面上；以及第一栅电极层，其设置在第一铁电层上。
IPC分类:
