公开(公告)号：CN113690247B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202110011497.7

申请日：2021-01-06

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李在吉 ,  李建泳 ,  刘香根

IPC分类号： H10B51/30 ,  H10B51/20

摘要： 本公开提供了一种包含铁电层的三维结构的半导体器件。根据本公开实施例的半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括孔图案，该孔图案包括在垂直于衬底的表面的方向上延伸的中心轴线。栅极结构包括沿着中心轴线交替地层叠的栅电极层与层间绝缘层。该半导体器件包括：铁电层，其在孔图案内与栅电极层的侧壁表面相邻地设置；以及沟道层，其在孔图案内与铁电层相邻地设置。在这种情况下，栅电极层和层间绝缘层中的一个相对于栅电极层和层间绝缘层中的另一个朝向孔图案的中心轴线突出。

公开(公告)号：CN115768121A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210311915.9

申请日：2022-03-28

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 具元泰 ,  李在吉

IPC分类号： H10B43/30 ,  H10B51/30 ,  H01L29/51

摘要： 本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底，在垂直方向设置在衬底上的铁电层，设置在铁电层上的电荷俘获层，设置在电荷俘获层上的栅极绝缘层，以及设置在栅极绝缘层上的栅电极层。电荷俘获层包括金属有机骨架层和嵌入金属有机骨架层中的金属颗粒。

公开(公告)号：CN111384059B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201911017190.7

申请日：2019-10-24

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 刘香根 ,  宋姝璃 ,  李世昊 ,  李在吉

IPC分类号： H10B43/00 ,  H10B43/27 ,  H10B43/30

摘要： 本发明提供一种具有多个沟道层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；单元电极结构，其设置在衬底上并包括交替层叠的层间绝缘层和栅电极层；沟槽，其穿过衬底上的单元电极结构；电荷储存结构，其设置在沟槽的侧壁表面上；和沟道结构，其相邻于电荷储存结构设置并沿平行于侧壁表面的方向延伸。沟道结构包括单独的空穴传导层和相邻的且单独的电子传导层。设置在控制电介质层上的控制沟道层是电子传导层的一部分，该控制沟道层被配置为电连接到沟道结构和电荷储存结构。控制电介质层和电荷阻挡层是分立的，但是从控制沟道结构到电荷储存结构是连续的。

公开(公告)号：CN113644079A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110024929.8

申请日：2021-01-08

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李在吉 ,  刘香根 ,  韩在贤

IPC分类号： H01L27/1159 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及铁电组件和包括该铁电组件的交叉点阵列器件。一种铁电组件包括：第一电极；隧道阻挡层，其设置在第一电极上而包括铁电材料；隧穿控制层，其设置在隧道阻挡层上以控制穿过所述隧道阻挡层的电荷的隧穿宽度；以及第二电极，其设置在所述隧穿控制层上。

公开(公告)号：CN113035876B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202010652096.5

申请日：2020-07-08

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 韩在贤 ,  李世昊 ,  刘香根 ,  李在吉

IPC分类号： H10B53/30 ,  H10B53/20 ,  H10B51/20 ,  H10B51/30

摘要： 根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底，其具有上表面；源电极结构，其设置在衬底上；以及沟道结构，其设置在衬底上方并被设置为与源电极结构的一个侧壁表面接触。另外，该非易失性存储器件包括漏电极结构，其被设置为在衬底上方接触沟道结构的一个侧壁表面。另外，该非易失性存储器件包括多个铁电结构，该铁电结构在沟道结构中在垂直于衬底的第一方向上延伸并且被设置为沿着垂直于第一方向的第二方向彼此间隔开。另外，该非易失性存储器件包括栅电极结构，其被设置在多个铁电结构的每一个中以沿着第一方向延伸。

公开(公告)号：CN112652630B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202010653916.2

申请日：2020-07-08

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李建泳 ,  金宣荣 ,  李在吉

IPC分类号： H10B43/30 ,  H10B43/27

摘要： 本技术包括半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：堆叠，其包括导电图案和绝缘图案；沟道结构，其穿透该堆叠；以及存储器图案，其在导电图案与沟道结构之间。该存储器图案包括阻挡图案、隧道图案、存储图案和铁电图案。

公开(公告)号：CN111384175B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201910983006.8

申请日：2019-10-16

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 刘香根 ,  李世昊 ,  李在吉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/51

摘要： 本发明提供了一种包括具有铁电层和非铁电层的电介质结构的半导体器件。根据一个实施例的半导体器件包括：第一电极；电介质结构，其设置在第一电极上并且具有铁电层和非铁电层；以及第二电极，其设置在电介质结构上。铁电层具有正矫顽电场和负矫顽电场，所述正矫顽电场和所述负矫顽电场具有不同的绝对值。电介质结构具有非铁电特性。

公开(公告)号：CN114639685A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202110823533.X

申请日：2021-07-21

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李在吉 ,  徐东益 ,  李世昊

IPC分类号： H01L27/1159

摘要： 本公开提供了一种包括铁电层的半导体器件及其制造方法。根据实施例的半导体器件包括：衬底；位线结构和源极线结构，分别在垂直于衬底表面的方向上延伸；半导体层，其设置在平行于衬底表面的平面上在位线结构与源极线结构之间；第一铁电层，其设置在半导体层的第一表面上；以及第一栅电极层，其设置在第一铁电层上。

公开(公告)号：CN111384175A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201910983006.8

申请日：2019-10-16

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 刘香根 ,  李世昊 ,  李在吉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/51

摘要： 本发明提供了一种包括具有铁电层和非铁电层的电介质结构的半导体器件。根据一个实施例的半导体器件包括：第一电极；电介质结构，其设置在第一电极上并且具有铁电层和非铁电层；以及第二电极，其设置在电介质结构上。铁电层具有正矫顽电场和负矫顽电场，所述正矫顽电场和所述负矫顽电场具有不同的绝对值。电介质结构具有非铁电特性。

公开(公告)号：CN111048521A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910911592.5

申请日：2019-09-25

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 刘香根 ,  李在吉 ,  李世昊

IPC分类号： H01L27/1159 ,  H01L27/11597 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种具有铁电材料的半导体器件以及制造其的方法。提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；设置在所述衬底上的电极层叠体，所述电极层叠体包括在垂直于所述衬底的方向上交替层叠的层间绝缘层和栅电极结构；沟槽，其穿过所述电极层叠体以暴露所述层间绝缘层和所述栅电极结构的侧壁表面；沿所述沟槽的侧壁表面设置的栅电介质层，所述栅电介质层包括铁电部分和非铁电部分；以及与所述栅电介质层相邻设置的沟道层。所述铁电部分与所述栅电极结构接触，并且所述非铁电部分与所述层间绝缘层接触。