本发明涉及半导体紫外探测技术领域，具体提供一种ZnGa2O4薄膜的制备方法及其应用。本发明提供的ZnGa2O4薄膜的制备方法，利用分子束外延技术，同时通过利用有机镓源代替传统的Ga金属源，与Zn金属源相结合，其工艺可控性强，通过对于生长温度、镓源、锌源和氧气流量的精确控制，实现了高质量ZnGa2O4薄膜的生长，为制备相应的高性能紫外光电器件打下了良好的材料基础。紫外探测器包括衬底、设置于衬底的ZnGa2O4薄膜层、设置于ZnGa2O4薄膜上的电极层；本发明的紫外探测器，可以改善器件因薄膜质量不高所带来的性能不理想问题，同时具备良好的响应度和稳定性，表现出优异的紫外探测性能。