一种铜箔的纯化方法，属于材料纯化领域。铜箔的纯化方法包括：在管式炉的中心温区放置组件，在惰性气体及氢气的混合气氛下，保持中心温区的温度为1050‑1070℃的条件下退火至少5h，获得纯化的单晶铜箔，其中，组件由含有杂质的多晶铜箔以及支撑多晶铜箔的载体构成，多晶铜箔为压延铜箔，惰性气体的流量为500‑600sccm，氢气的流量为30‑100sccm。该纯化方法不仅能够针对工业多晶铜箔直接净化，改善现有的纯化方法能耗大、制备难度高的问题，同时能够使工业多晶铜箔单晶化，提高产品性能。