一种金刚石增强碳化硅(SiC)复合晶圆的制备方法，属半导体材料制备领域。即在经800‑1000℃真空热处理后的SiC碳极性面镀制5‑20nm的SiNx薄层。经微波氢等离子体处理1‑5min后通入氢气流量比例5‑10％的甲烷并持续5‑15min，基于氮原子逃逸和碳原子渗入实现金刚石高密度形核和C‑Si键形成。接着在降低甲烷至3％‑5％生长金刚石的同时通入氢气流量比例0.1‑1％的硅烷，并在10‑30min内缓慢降低硅烷流量直至关闭，沉积SiC/金刚石复合梯度过渡层。随后重复金刚石生长每5‑20min通入氢气流量比例1‑5％的氮气并保持1‑5min的循环过程，待金刚石达到一定厚度后关闭氮气和甲烷，在氢等离子体中缓慢降温至600℃以下后再升高至800‑1000℃处理0.5‑5h后缓慢降温，最终通过抛光金刚石面实现低应力、强结合的金刚石/SiC复合晶圆材料。