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公开(公告)号：CN118888705A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410659355.5
申请日：2024-05-27
申请人： 至华新能源科技(浙江)有限公司
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/58 , H01M10/0525 , C01B32/05 , C23C16/24 , C23C16/513 , C23C16/34 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种复合硅碳材料及其制备方法，硅碳复合材料呈现核壳结构，内核为锂‑硅掺杂介孔碳材料，外壳为氮化硅薄膜。该复合材料利用介孔碳的均一孔径提升材料沉积硅的均匀性，利用锂掺杂介孔碳提升材料的电子导电率和降低材料内核的缺陷，并对其表面钝化提升高温存储性能。
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公开(公告)号：CN115427608B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202180013524.2
申请日：2021-12-31
申请人： 应普技株式会社
IPC分类号： C23C16/513 , C23C4/134 , B05B7/22
摘要： 本发明涉及一种喷射喷嘴装置。本发明的喷射喷嘴装置可包括：第一喷嘴部，在内部具有与喷射流体的第一喷射口连接的第一内部流路和向上述第一内部流路注入流体的第一注入口；第二喷嘴部，位于上述第一内部流路内，在与上述第一喷射口相邻的一侧具有喷射等离子的第二喷射口；以及分配部，位于上述第一喷嘴部与上述第二喷嘴部之间，将上述第一内部流路划分为与上述第一喷射口连接的第一划分流路以及与上述第一注入口连接的第二划分流路，上述分配部包括连接上述第一划分流路与上述第二划分流路的多个连接流路。
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公开(公告)号：CN110896119B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910864143.X
申请日：2019-09-12
申请人： IMEC 非营利协会 , 鲁汶天主教大学
发明人： 徐孟雷 , T·伯纳达 , H·斯瓦拉马克瑞希楠拉达克里希楠 , J·普尔曼斯
IPC分类号： H01L31/18 , C23C16/04 , C23C16/24 , C23C16/513
摘要： 提供了一种用于产生太阳能电池中交指状图案的方法(100)，包括：提供(S110)具有一个或多个覆盖区域以及一个或多个暴露区域的基材，所述的覆盖区域被第一钝化层堆叠体覆盖，而第一钝化层堆叠体被第一硬掩膜覆盖。包括至少一个层的第二钝化层堆叠体选择性地沉积在暴露区域上，包括在暴露区域上和硬掩模上等离子体沉积(S120)至少一个层的子层，以及以硬掩模上蚀刻速率高于暴露区域的蚀刻速率对所添加的子层进行等离子体蚀刻(S130)，从而基本去除硬掩模上的子层，而在暴露区域上留下有限厚度的子层，对剩余子层进行等离子体清洁(S150)，并且通过重复沉积(S120)和蚀刻(S130)步骤添加另外的子层。可以重复(S142)清洁、沉积和蚀刻，直至获得第二钝化层堆叠体的所需厚度的至少一层。
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公开(公告)号：CN108866512B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201811070361.8
申请日：2018-09-13
申请人： 江苏润阳悦达光伏科技有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/513
摘要： 本发明属于太阳能电池制造领域，尤其涉及一种自动化石墨舟卡点更换机，包括机架主体、新卡点储料箱、上模模组、中模模组、装点模组、控制模组，在使用时首先将待更换卡点的石墨舟放置在中模模组上，然后在控制模组的控制下，利用上模模组中的若干卸点柱将旧卡点卸载下来，然后中模模组进行位移至装点位，装点器对石墨舟安装新的卡点，当装点器中的卡点装完之后，装点器在装点器位移驱动机构的驱动下位移至新卡点储料箱下方，新卡点储料箱将其存储的新卡点自动下料至装点器中的料斗中，加料速度快，能够有效保障后续工作流程顺畅，提高工作效率。本发明自动化程度高，操作简便，更换质量高，产品合格率提高，省时省力，工作效率高，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN117660884A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211045645.8
申请日：2022-08-29
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 刘中武
IPC分类号： C23C14/16 , C23C14/35 , C23C16/26 , C23C16/513 , C23C28/00
摘要： 本发明的工件表面处理方法，包括：将工件清洗并干燥后置入真空镀膜室，所述真空镀膜室的真空度处于第一值；在所述工件的表面通过溅射沉积形成金属过渡层；以及向所述真空镀膜室通入碳氢类气体，以降低所述真空镀膜室的真空度为第二值，在所述金属过渡层上沉积形成类金刚石碳涂层。该方法可获得均匀的镀膜，并提高耐磨性、耐腐蚀性、结合力，从而保证工件的质量。
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公开(公告)号：CN113981415B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202111241525.0
申请日：2021-10-25
申请人： 石家庄晶澳太阳能科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/513
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公开(公告)号：CN117467983A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311520551.6
申请日：2023-11-15
申请人： 捷造科技(宁波)有限公司
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种内置反应盒的PECVD沉积装置，包括：处理室本体和处理室上盖界定薄膜沉积所用的真空环境，真空管路系统藕接到处理室上盖，气源输送管路藕接到喷淋电极，喷淋电极藕接到处理室本体，地电极藕接到处理室上盖，喷淋电极和地电极形成一对平行电极板，RF/VHF电源藕接到喷淋电极，升降系统顶升喷淋电极和工件基板，同地电极完全接触形成多个独立放电空间；在喷淋电极、工件基板、地电极形成多个独立放电空间，系统接地藕接到处理室上盖，RPS远程电源管路连接气体源和压力控制系统。本发明的优点是：能够使以PECVD沉积系统的产线设备的布局更灵活多变，满足光伏生产线设备不破空进行正反面薄膜沉积需求。
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公开(公告)号：CN117004922A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210462750.5
申请日：2022-04-28
申请人： 成都辰显光电有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/52
摘要： 本申请涉及一种气相沉积装置及极板，其中，气相沉积装置包括：箱体，具有工艺腔体以及与其连通的进气口；极板组件，包括第一极板和第二极板，第一极板将工艺腔体分隔形成第一腔室和第二腔室，第一极板上设置有多个连通第一腔室以及第二腔室的分散孔；分散孔包括沿自身轴向相继分布的连接段和第一孔段，第一孔段延伸至第一极板朝向第二腔室的表面，连接段设置于第一孔段背离第二腔室的一端，沿轴向，第一孔段的孔径呈增大趋势且朝向第二腔室一端的孔径大于背离第二腔室一端的孔径，连接段的孔径小于第一孔段背离第二腔室一侧的孔径。本申请实施例提供的气相沉积装置能够快速、均匀地形成等离子体，进而提高成膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN110835748B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910762234.2
申请日：2019-08-19
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/513 , H01L21/02
摘要： 本发明提供了一种通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积氮化硅的方法，该方法包括以下步骤：提供一种PECVD设备，所述PECVD设备包括腔室和设置在该腔室内的衬底支撑件；将衬底设置在该衬底支撑件上；将氮气(N2)前体引入到该腔室中；施加高频(HF)RF功率和低频(LF)RF功率以在该腔室中持续产生等离子体；在施加所述HF RF功率和所述LF RF功率的同时，将硅烷前体引入到该腔室中，使得该硅烷前体持续形成所述等离子体的一部分；以及随后，在继续维持所述等离子体的同时，去除LF RF功率或减少至少90％的LF RF功率，使得通过PECVD将氮化硅沉积到衬底上。本发明还涉及用于将氮化硅沉积到衬底上的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备。
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公开(公告)号：CN113802111B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010538700.1
申请日：2020-06-13
申请人： 拓荆科技股份有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法，其中，设备由一个衬底支撑件和多个陶瓷件构成，且各个陶瓷件具有不同高度的侧壁，每个陶瓷件均可活动套装在衬底支撑件的外周，通过上述的结构设计，可通过更换套装在衬底支撑件外周的陶瓷件，以实现衬底支撑件侧壁面积的调整，使用时，实现等离子体分布的改变，使得沉积速率和均匀性也随之改变，从而改变薄膜边缘的形貌，即通过设备硬件的结构调整可实现制备的晶圆薄膜形貌的改变；所述改善晶圆薄膜表面形貌的方法，是基于上述设备获得的；上述使用等离子体处理衬底的设备，具有结构简单、设计合理、简单易行等优点。
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